| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-25页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 过渡金属有机配合物催化的基元反应 | 第8-11页 |
| 1.2.1 配体的配位和解离反应 | 第8-9页 |
| 1.2.2 氧化加成反应 | 第9-10页 |
| 1.2.3 插入反应 | 第10-11页 |
| 1.2.4 还原消除反应 | 第11页 |
| 1.3 过渡金属配合物催化硅氢加成反应的机理 | 第11-19页 |
| 1.3.1 自由基加成机理 | 第12-13页 |
| 1.3.2 离子加成机理 | 第13-14页 |
| 1.3.3 配位加成机理 | 第14-19页 |
| 1.3.3.1 [2+2]加成机理 | 第14-15页 |
| 1.3.3.2 Chalk-Harrod机理 | 第15页 |
| 1.3.3.3 Ojima机理(OM机理) | 第15-16页 |
| 1.3.3.4 Chan机理(CM机理) | 第16-17页 |
| 1.3.3.5 Gade机理 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-25页 |
| 第二章 理论研究的计算方法 | 第25-36页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 量子化学理论计算方法 | 第25-32页 |
| 2.2.1 从头算计算方法 | 第26-27页 |
| 2.2.2 半经验计算方法 | 第27页 |
| 2.2.3 密度泛函理论 | 第27-32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 第三章 高价态Ru(Ⅵ)≡N配合物催化苯甲醛的硅氢加成反应机理研究 | 第36-65页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 高价态过渡金属配合物催化硅氢加成反应的机理研究背景 | 第37-41页 |
| 3.2.1 [2+2]加成机理 | 第37-39页 |
| 3.2.2 离子机理 | 第39-40页 |
| 3.2.3 非氢化机理 | 第40-41页 |
| 3.3 课题研究的计算方法 | 第41页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第41-51页 |
| 3.4.1 路径A.[2+2]加成机理 | 第41-42页 |
| 3.4.2 路径B.通过添加Si-H键到氮配体 | 第42-45页 |
| 3.4.2.1 硅烷配位到氮配体 | 第42-43页 |
| 3.4.2.2 苯甲醛的还原 | 第43-44页 |
| 3.4.2.3 H配体的转移 | 第44-45页 |
| 3.4.3 路径C.通过添加Si-H键到Ru(Ⅵ)中心 | 第45-48页 |
| 3.4.3.1 硅烷配位到过渡金属Ru(Ⅵ)中心 | 第46-47页 |
| 3.4.3.2 苯甲醛的还原 | 第47页 |
| 3.4.3.3 H配体的转移 | 第47页 |
| 3.4.3.4 路径B和路径C的对比 | 第47-48页 |
| 3.4.4 路径D.由Ru~Ⅲ配合物催化的硅氢加成反应路径 | 第48-51页 |
| 3.4.4.1 Ru~Ⅲ配合物的形成 | 第48页 |
| 3.4.4.2 硅烷配位到金属Ru~Ⅲ中心 | 第48-49页 |
| 3.4.4.3 苯甲醛的还原 | 第49-50页 |
| 3.4.4.4 H配体的转移 | 第50-51页 |
| 3.5 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-65页 |
| 第四章 高价态单氧铼(Ⅴ)氢化物催化C=N基团的硅氢加成反应机理研究 | 第65-88页 |
| 4.1 引言 | 第65页 |
| 4.2 高价态过渡金属配合物催化硅氢加成反应的机理研究背景 | 第65-68页 |
| 4.2.1 氢化机理 | 第65-67页 |
| 4.2.1.1 Chalk-Harrod机理 | 第66页 |
| 4.2.1.2 [2+2]加成机理 | 第66-67页 |
| 4.2.2 离子外球面机理 | 第67-68页 |
| 4.3 计算方法 | 第68-69页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第69-78页 |
| 4.4.1 离子外球面路径 | 第69-74页 |
| 4.4.1.1 第一步：硅烷铼配合物的形成 | 第69-70页 |
| 4.4.1.2 第二步：Si-H键的分裂 | 第70-72页 |
| 4.4.1.3 第三步：氢配体的转移 | 第72-73页 |
| 4.4.1.4 溶剂效应 | 第73-74页 |
| 4.4.1.5 各种亚氨基的影响 | 第74页 |
| 4.4.2 氢化路径 | 第74-77页 |
| 4.4.3 [2+2]加成路径 | 第77-78页 |
| 4.5 结论 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-88页 |
| 在读期间发表的学术论文及研究成果 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89页 |
