| 论文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 引言 | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-20页 |
| ·硅基纳米材料的研究意义 | 第13-14页 |
| ·nc-Ge/ SiO_2复合薄膜的研究进展 | 第14-15页 |
| ·硅基纳米材料的发光机理及模型简述 | 第15-16页 |
| ·硅基纳米材料的非线性吸收在激光调Q 中的应用 | 第16-18页 |
| ·论文研究内容和主要创新点 | 第18-20页 |
| 第二章 nc-Ge/ SiO_2复合薄膜材料的制备和表征 | 第20-30页 |
| ·射频磁控反应溅射的基本原理 | 第20-22页 |
| ·薄膜材料的制备参数 | 第22-25页 |
| ·样品的表征 | 第25-29页 |
| ·X 射线衍射测试（XRD） | 第25-26页 |
| ·样品的傅立叶红外吸收光谱（FTIR）测定 | 第26-27页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)测试 | 第27-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第三章 Ge/ SiO_2复合薄膜材料的光吸收和发射特性 | 第30-41页 |
| ·非晶态半导体的光吸收原理 | 第30-32页 |
| ·非晶 Ge/ SiO_2薄膜的紫外-可见光吸收谱测试 | 第32-33页 |
| ·nc-Ge/ SiO_2薄膜的光吸收特性 | 第33-36页 |
| ·nc-Ge/ SiO_2 薄膜的 PL 谱 | 第36-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第四章 nc-Ge | 第41-48页 |
| ·Z-扫描理论 | 第41-45页 |
| ·nc-Ge/ SiO_2复合薄膜的 Z-扫描测试和结果分析 | 第45-47页 |
| ·样品在532nm 激光下的非线性光学性质 | 第45-46页 |
| ·样品在1064nm 激发下的非线性光学特征. | 第46-47页 |
| ·结论 | 第47-48页 |
| 第五章 nc-Ge/ SiO_2薄膜实现 Nd:YV04激光器被动调 Q | 第48-56页 |
| ·nc-Ge/ SiO_2薄膜对1064nm 激光的被动调Q | 第48-51页 |
| ·实验装置 | 第48-49页 |
| ·实验结果 | 第49-50页 |
| ·调Q 机理分析. | 第50-51页 |
| ·nc-Ge/ SiO_2薄膜对1342nm 激光的被动调Q | 第51-55页 |
| ·实验结果 | 第51-53页 |
| ·调Q 机理分析 | 第53-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第六章 总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 附录 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
