带有热管的新型CVD反应器的设计和研究
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-10页 |
| 1.2 多晶硅概述 | 第10-11页 |
| 1.3 多晶硅产品的分类 | 第11页 |
| 1.4 国内外发展状况 | 第11-13页 |
| 1.4.1 国内多晶硅产业现状 | 第11-12页 |
| 1.4.2 国外多晶硅产业现状 | 第12-13页 |
| 1.5 多晶硅生产工艺 | 第13-16页 |
| 1.5.1 改良西门子法 | 第14-15页 |
| 1.5.2 硅烷法 | 第15-16页 |
| 1.5.3 流化床法 | 第16页 |
| 1.5.4 冶金法 | 第16页 |
| 1.6 CVD反应器的发展 | 第16-18页 |
| 1.7 计算流体力学 | 第18-19页 |
| 1.8 本文研究思路 | 第19-22页 |
| 第二章 多晶硅反应器结构设计 | 第22-37页 |
| 2.1 传统多晶硅反应器 | 第22-23页 |
| 2.2 多晶硅还原炉的改进 | 第23-30页 |
| 2.2.1 多晶硅反应器内热管的设定 | 第23-27页 |
| 2.2.2 多晶硅反应器硅棒的排布 | 第27-29页 |
| 2.2.3 多晶硅反应器进出气方式 | 第29-30页 |
| 2.3 重要部件的有限元分析 | 第30-36页 |
| 2.3.1 热管夹持板的有限元分析 | 第30-33页 |
| 2.3.2 还原炉底盘的有限元分析 | 第33-36页 |
| 2.4 小结 | 第36-37页 |
| 第三章 新型多晶硅反应器流场研究 | 第37-56页 |
| 3.1 流体力学模型的选择 | 第37-39页 |
| 3.2 多晶硅还原炉模型建立 | 第39-42页 |
| 3.2.1 网格划分 | 第40-42页 |
| 3.2.2 模拟条件简化 | 第42页 |
| 3.3 流动边界条件的设定 | 第42-45页 |
| 3.3.1 原料气性质 | 第43-45页 |
| 3.3.2 边界条件设定 | 第45页 |
| 3.4 流场结果分析 | 第45-54页 |
| 3.4.1 压力场分析 | 第51页 |
| 3.4.2 对比分析 | 第51-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 新型多晶硅反应器温度场研究 | 第56-66页 |
| 4.1 传热模型分析 | 第56-58页 |
| 4.1.1 对流传热 | 第56页 |
| 4.1.2 辐射传热 | 第56-58页 |
| 4.2 边界条件 | 第58页 |
| 4.3 温度场结果分析 | 第58-61页 |
| 4.4 热管表面温度的影响 | 第61-62页 |
| 4.5 热管表面发射率的影响 | 第62-64页 |
| 4.6 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 结论及展望 | 第66-68页 |
| 5.1 结论 | 第66-67页 |
| 5.2 展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
