| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 英文缩略词 | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 单光子探测器暗计数对激光测距的限制 | 第12-13页 |
| 1.2 单光子探测器分类 | 第13-18页 |
| 1.3 国内外InGaAs(P)/InP APD基近红外单光子探测器研究现状 | 第18-19页 |
| 1.4 本文主要工作内容及研究意义 | 第19-20页 |
| 第二章 InGaAs(P)/InP单光子雪崩二极管的探测原理 | 第20-29页 |
| 2.1 InGaAs(P)/InP SPADs结构 | 第20-23页 |
| 2.1.1 吸收层 | 第20-21页 |
| 2.1.2 InP倍增层 | 第21页 |
| 2.1.3 SAGCM结构 | 第21-23页 |
| 2.2 单光子雪崩二极管的碰撞电离及雪崩概率 | 第23-25页 |
| 2.3 盖革模式InGaAs(P)/InP SPAD性能参数 | 第25-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 实验平台及实验方法 | 第29-44页 |
| 3.1 变温测试平台 | 第29-32页 |
| 3.2 半导体参数分析仪参数设置 | 第32-35页 |
| 3.3 主动猝灭自由运转系统 | 第35-38页 |
| 3.4 LBIC测试系统 | 第38-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 InGaAs(P)/InP SPAD暗计数特性研究 | 第44-74页 |
| 4.1 暗电流特性及其影响因素研究 | 第45-47页 |
| 4.2 暗计数特性及其影响因素研究 | 第47-52页 |
| 4.2.1 死时间 | 第47-48页 |
| 4.2.2 温度 | 第48-49页 |
| 4.2.3 过偏压 | 第49-52页 |
| 4.3 暗电流与暗计数关联性研究 | 第52-59页 |
| 4.4 暗电流、暗计数及光计数的抖动及相关性研究 | 第59-70页 |
| 4.4.1 暗电流抖动的影响因素 | 第59-62页 |
| 4.4.2 暗计数抖动的影响因素 | 第62-65页 |
| 4.4.3 光计数抖动的影响因素研究 | 第65-67页 |
| 4.4.4 暗电流、暗计数及光计数抖动的相关性分析 | 第67-70页 |
| 4.5 国内外器件不同性能参数对比 | 第70-73页 |
| 4.6 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 总结与展望 | 第74-76页 |
| 5.1 论文总结 | 第74-75页 |
| 5.2 后续展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读硕士期间参与的工程项目及成果 | 第83-84页 |
| 附表 | 第84页 |
