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硅微纳异质结光电器件的研究

致谢第7-8页
摘要第8-9页
ABSTRACT第9页
第一章 绪论第16-29页
    1.1 硅微纳结构简介第16-21页
        1.1.1 硅微纳结构的研究意义第16页
        1.1.2 硅微纳结构的分类第16-21页
    1.2 硅基异质结构的研究进展第21-25页
        1.2.1 硅基异质结构的分类第21-22页
        1.2.2 石墨烯/硅异质结构的研究进展第22-24页
        1.2.3 ZnO/硅异质结构的研究进展第24-25页
    1.3 光电探测器简介第25-27页
        1.3.1 光电探测器的原理及分类第25-26页
        1.3.2 光电探测器的应用第26-27页
    1.4 本课题研究背景与主要内容第27-29页
第二章 石墨烯/硅锥异质结的制备及表征第29-36页
    2.1 引言第29页
    2.2 实验所用药品及设备第29-30页
    2.3 石墨烯/硅锥异质结的制备及表征第30-34页
        2.3.1 硅锥阵列的制备和表征第30-32页
        2.3.2 石墨烯/硅锥异质结的光学模拟第32-34页
    2.4 本章小结第34-36页
第三章 石墨烯/硅锥异质结近红外光电探测器的制备及表征第36-45页
    3.1 引言第36页
    3.2 石墨烯/硅锥异质结近红外光电探测器的制备第36-37页
    3.3 石墨烯/硅锥异质结近红外光电探测器的光电特性表征第37-44页
    3.4 本章小结第44-45页
第四章 ZnO纳米棒/黑硅异质结光电探测器的制备及表征第45-60页
    4.1 引言第45-46页
    4.2 实验所用药品及设备第46页
    4.3 ZnO纳米棒/黑硅异质结的制备和表征第46-51页
        4.3.1 黑硅的制备和表征第46-48页
        4.3.2 ZnO纳米棒阵列的制备和表征第48-51页
    4.4 ZnO纳米棒/黑硅异质结光电探测器的光电特性表征第51-54页
    4.5 ZnO纳米棒/黑硅异质结光电探测器的气敏特性表征第54-58页
        4.5.1 ZnO纳米棒/黑硅异质结光电探测器气敏机理分析第54-55页
        4.5.2 气敏特性测试中的相关参数与计算第55-56页
        4.5.3 ZnO纳米棒/黑硅异质结光电探测器的气敏特性表征第56-58页
    4.6 本章小结第58-60页
第五章 总结与展望第60-62页
    5.1 本章小结第60-61页
    5.2 未来展望第61-62页
参考文献第62-68页
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况第68页

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