| 中文摘要 | 第1-13页 |
| ABSTRACT | 第13-18页 |
| 符号说明 | 第18-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-30页 |
| ·概述 | 第19页 |
| ·二维拓扑绝缘体 | 第19-21页 |
| ·三维拓扑绝缘体 | 第21-23页 |
| ·Z_2拓扑不变量的计算 | 第23-24页 |
| ·本论文的研究内容和主要结论 | 第24-27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 第二章 密度泛函理论和计算软件介绍 | 第30-40页 |
| ·绝热近似 | 第30-31页 |
| ·哈特利-福克近似 | 第31-33页 |
| ·哈特利方程 | 第31-32页 |
| ·福克近似 | 第32-33页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第33-35页 |
| ·Thomas-Fermi模型 | 第33-34页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第34页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第34-35页 |
| ·交换关联泛函 | 第35-37页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第36页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第36-37页 |
| ·杂化泛函(Hybrid Functional) | 第37页 |
| ·本文使用的密度泛函理论计算软件介绍 | 第37-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第三章 Bi薄膜拓扑性质的理论研究 | 第40-56页 |
| ·纯净Bi薄膜的拓扑性质 | 第40-48页 |
| ·实验和理论研究背景 | 第40页 |
| ·计算方法和模型 | 第40-41页 |
| ·结果和讨论 | 第41-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| ·H和F原子吸附对Bi薄膜拓扑性质的影响 | 第48-56页 |
| ·实验和理论背景 | 第48-49页 |
| ·计算方法和模型 | 第49页 |
| ·结果和讨论 | 第49-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第四章 化学吸附对As薄膜拓扑性质影响的理论研究 | 第56-85页 |
| ·H、CH_3和OH吸附对As薄膜拓扑性质的影响 | 第56-71页 |
| ·实验和理论研究背景 | 第56-57页 |
| ·计算方法和模型 | 第57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| ·卤族元素吸附对As薄膜拓扑性质的影响 | 第71-85页 |
| ·实验和理论研究背景 | 第71页 |
| ·计算方法和模型 | 第71-72页 |
| ·结果与讨论 | 第72-81页 |
| ·小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 第五章 衬底和外部应力对Sn薄膜电子结构的影响 | 第85-99页 |
| ·实验和理论研究背景 | 第85-86页 |
| ·计算方法和模型 | 第86页 |
| ·结果与讨论 | 第86-94页 |
| ·纯净Sn薄膜的拓扑性质 | 第86-89页 |
| ·Sn薄膜与h-BN衬底的相互作用 | 第89-93页 |
| ·Sn薄膜与AlN衬底的相互作用 | 第93-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-99页 |
| 第六章 拉伸应力诱导CH_3吸附的Sn薄膜的拓扑相变 | 第99-109页 |
| ·实验和理论研究背景 | 第99页 |
| ·计算方法和模型 | 第99-100页 |
| ·结果与讨论 | 第100-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-109页 |
| 第七章 SiH_3吸附对Ⅳ族和Ⅴ族薄膜电子性质的影响 | 第109-122页 |
| ·实验和理论背景 | 第109-110页 |
| ·计算方法和模型 | 第110页 |
| ·结果与讨论 | 第110-117页 |
| ·本章小结 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-122页 |
| 第八章 结论和展望 | 第122-124页 |
| ·主要结论和创新点 | 第122-123页 |
| ·展望 | 第123-124页 |
| 致谢 | 第124-126页 |
| 攻读博士期间已发表和待发表的学术论文目录 | 第126-128页 |
| 附录：攻读博士期间发表的英语论文(原文) | 第128-162页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第162页 |