| 目录 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-29页 |
| ·半导体材料简介 | 第10-12页 |
| ·半导体材料 | 第10页 |
| ·半导体硅(Si)材料简介 | 第10-11页 |
| ·半导体硅(Si)材料在传感器方面的应用 | 第11-12页 |
| ·光电化学传感器 | 第12-19页 |
| ·光电化学传感器的定义 | 第12页 |
| ·光电化学传感器的分类 | 第12-19页 |
| ·羟基氧化镍简介 | 第19-21页 |
| ·羟基氧化镍的制备 | 第19-20页 |
| ·羟基氧化镍的应用 | 第20-21页 |
| ·本文选题依据 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-29页 |
| 第2章 Cd 的掺杂对羟基氧化镍修饰 n 型硅电极检测过氧化氢的影响 | 第29-49页 |
| ·序言 | 第29-30页 |
| ·实验部分 | 第30-32页 |
| ·试剂与材料 | 第30页 |
| ·修饰电极的制备 | 第30-31页 |
| ·修饰电极的表征 | 第31-32页 |
| ·过氧化氢的检测 | 第32页 |
| ·结果讨论 | 第32-44页 |
| ·修饰电极表面 Cd_(0.15)Ni(OH)_2和 Cd_(0.15)NiOOH 膜的形成 | 第32-34页 |
| ·修饰电极的 SEM 和 XPS的表征结果 | 第34-37页 |
| ·过氧化氢的光响应 | 第37-40页 |
| ·电镀时间对修饰电极检测过氧化氢光电流的影响 | 第40-41页 |
| ·pH对 Cd(OH)_2/NiOOH/Pt/n-n~+-Si 电极检测 H2O2的影响 | 第41-42页 |
| ·镉的掺杂量对修饰电极对过氧化氢的影响 | 第42-43页 |
| ·Cd(OH)_2/NiOOH/Pt/n-n~+-Si 电极的选择性和稳定性 | 第43-44页 |
| ·结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 第3章 镉钴双重掺杂羟基氧化镍膜修饰硅电极检测甘氨酸 | 第49-63页 |
| ·序言 | 第49-50页 |
| ·试剂与仪器 | 第50页 |
| ·实验过程 | 第50-52页 |
| ·Pt/n-n~+-Si 电极制备 | 第50-51页 |
| ·Ni_(0.7)Co_(0.2)Cd_(0.1)(OH)_2修饰硅电极的制备 | 第51页 |
| ·Ni_(0.7)Co_(0.2)Cd_(0.1)(OH)_2修饰硅电极光电化学行为 | 第51页 |
| ·Ni_(0.7)Co_(0.2)Cd_(0.1)(OH)_2修饰硅电极的表征 | 第51页 |
| ·修饰电极的干扰检测 | 第51-52页 |
| ·Ni_(0.7)Co_(0.2)Cd_(0.1)(OH)_2修饰硅电极的重现性和稳定性 | 第52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-59页 |
| ·Ni_(0.7)Co_(0.2)Cd_(0.1)(OH)_2修饰硅电极对甘氨酸的电催化氧化 | 第52-54页 |
| ·Ni_(0.7)Co_(0.2)Cd_(0.1)(OH)_2/Pt/n-n~+-Si 修饰电极对甘氨酸的安培响应 | 第54-55页 |
| ·Ni_(0.7)Co_(0.2)Cd_(0.1)(OH)_2修饰硅电极的倒置金相显微镜图 | 第55-56页 |
| ·Ni_(0.7)Co_(0.2)Cd_(0.1)(OH)_2修饰硅电极的 X射线光电子能谱 | 第56-57页 |
| ·Ni_(0.7)Co_(0.2)Cd_(0.1)(OH)_2修饰硅电极对甘氨酸的选择性 | 第57-58页 |
| ·Ni_(0.7)Co_(0.2)Cd_(0.1)(OH)_2修饰硅电极对甘氨酸检测的重现性和稳定性 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
