| 目录 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-36页 |
| ·半导体硅材料 | 第11-14页 |
| ·半导体硅材料简介 | 第11-12页 |
| ·半导体硅材料的研究现状 | 第12-14页 |
| ·光电化学半导体传感器 | 第14-17页 |
| ·光电化学半导体传感器简介 | 第14页 |
| ·光电化学半导体传感器的分类 | 第14-17页 |
| ·分子印迹技术 | 第17-24页 |
| ·分子印迹技术的发展 | 第17-18页 |
| ·分子印迹技术的基本原理 | 第18-19页 |
| ·分子印迹技术的分类 | 第19-22页 |
| ·分子印迹技术的应用 | 第22-24页 |
| ·葡萄糖的检测研究 | 第24-28页 |
| ·本论文的研究内容 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-36页 |
| 第二章 Cu/CuO修饰硅电极对葡萄糖的光电化学检测 | 第36-53页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验部分 | 第37-39页 |
| ·试剂与仪器 | 第37-38页 |
| ·修饰电极的制备 | 第38页 |
| ·Cu-CuO/Pt/n-n~+-Si 电极的表征 | 第38页 |
| ·Cu-CuO/Pt/n-n~+-Si 电极的光电化学行为 | 第38-39页 |
| ·Cu-CuO/Pt/n-n~+-Si 电极对葡萄糖的光电化学响应 | 第39页 |
| ·Cu-CuO/Pt/n-n~+-Si 电极对葡萄糖检测的干扰实验 | 第39页 |
| ·Cu-CuO/Pt/n-n~+-Si 电极的重现性和稳定性 | 第39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-50页 |
| ·Cu-CuO/Pt/n-n~+-Si 电极的表征 | 第39-40页 |
| ·Cu-CuO/Pt/n-n~+-Si 电极的光电化学行为 | 第40-41页 |
| ·Cu-CuO/Pt/n-n~+-Si 修饰电极对葡萄糖的催化氧化 | 第41-43页 |
| ·Cu-CuO/Pt/n-n~+-Si 修饰电极对葡萄糖的光电化学检测 | 第43-46页 |
| ·Cu-CuO/Pt/n-n~+-Si 修饰电极对葡萄糖的选择性 | 第46-48页 |
| ·Cu-CuO/Pt/n-n~+-Si 修饰电极的稳定性和重现性 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第三章 Glu-CS/NiO/Ni分子印迹电极对葡萄糖的电化学检测 | 第53-73页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·实验部分 | 第54-57页 |
| ·试剂与仪器 | 第54页 |
| ·NiO/Ni 电极的制备 | 第54-55页 |
| ·Glu-CS/NiOOH/Ni 膜电极的制备 | 第55页 |
| ·Glu-CS/NiO/Ni 印迹电极的制备 | 第55-56页 |
| ·修饰电极的表征 | 第56页 |
| ·修饰电极对葡萄糖的电化学检测 | 第56页 |
| ·修饰电极对葡萄糖检测的干扰实验 | 第56-57页 |
| ·结果讨论 | 第57-70页 |
| ·Glu-CS/NiO/Ni 印迹电极的制备过程 | 第57-60页 |
| ·Glu-CS/NiO/Ni 印迹电极的表征 | 第60-61页 |
| ·Glu-CS/NiO/Ni 印迹电极对葡萄糖的电化学响应 | 第61-66页 |
| ·Glu-CS/NiO/Ni 印迹电极对葡萄糖的选择性 | 第66-69页 |
| ·Glu-CS/NiO/Ni 印迹电极稳定性和重现性 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
