| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-17页 |
| ·硅材料概述 | 第6-7页 |
| ·硅量子点材料研究现状 | 第7-13页 |
| ·硅量子点应用研究进展 | 第13-16页 |
| ·本论文选题依据与研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 硅量子点的制备及其光学性质研究 | 第17-26页 |
| ·电化学腐蚀法制备硅量子点 | 第17-20页 |
| ·硅量子点的形貌特征 | 第20-22页 |
| ·硅量子点的光学性质 | 第22-24页 |
| ·催化剂对硅量子点光学性质的影响 | 第24-25页 |
| ·硅量子点的光学稳定性 | 第25-26页 |
| 第三章 SiO_2修饰对硅量子点光学性质的影响 | 第26-31页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·实验部分 | 第26-27页 |
| ·氧化时间对硅量子点荧光峰位的影响 | 第27-28页 |
| ·SiO_2修饰前后硅量子点光学性质的对比分析 | 第28-31页 |
| 第四章 羧基修饰硅量子点的光学性质的研究 | 第31-35页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验部分 | 第31-32页 |
| ·硅量子点表面的羧基修饰 | 第32-34页 |
| ·本章结论 | 第34-35页 |
| 第五章 结论 | 第35-36页 |
| 致谢 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-40页 |