| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目次 | 第9-11页 |
| 图清单 | 第11-12页 |
| 表清单 | 第12-13页 |
| 1 引言 | 第13-23页 |
| ·一维纳米材料 | 第13-17页 |
| ·硅纳米线的制备 | 第14-15页 |
| ·硅纳米线的理论研究 | 第15-17页 |
| ·二维纳米材料 | 第17-20页 |
| ·二维纳米材料的结构和制备 | 第18-19页 |
| ·二维硅烯的基本性质 | 第19-20页 |
| ·硅体相的基本物理性质材料 | 第20-21页 |
| ·本文研究的意义、目的和内容 | 第21-23页 |
| 2 第一性原理计算的理论基础和方法 | 第23-31页 |
| ·理论基础 | 第23页 |
| ·绝热近似 (Born-Oppenheimer近似) | 第23-24页 |
| ·哈特利-福克近似 (Hartree-Fock近似) | 第24-25页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第25页 |
| ·Kohn-Sham定理近似 | 第25-26页 |
| ·交换关联势 | 第26-27页 |
| ·局域密度近似 | 第26-27页 |
| ·广义梯度近似 | 第27页 |
| ·势函数与规范基组 | 第27-28页 |
| ·常用的第一性原理计算软件 | 第28-31页 |
| 3 空位对硅纳米线掺杂影响的第一性原理研究 | 第31-39页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·计算方法和模型 | 第32页 |
| ·计算结果与讨论究 | 第32-38页 |
| ·含空位的硅纳米线研究 | 第32-35页 |
| ·硼(磷)替代掺杂带空位的硅纳米线研究 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 4 表面悬挂键导致硅纳米线掺杂失效机制的第一性原理研究 | 第39-45页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·计算方法和模型 | 第40-41页 |
| ·计算结果与讨论 | 第41-44页 |
| ·电子结构 | 第41-42页 |
| ·掺杂失效机理 | 第42-43页 |
| ·小分子吸附激活杂质 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 5 氢钝化的多层硅烯的结构、电子和光学性质：尺寸和堆垛效应 | 第45-56页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·计算方法和模型 | 第46-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-54页 |
| ·稳定性讨论 | 第47-48页 |
| ·带隙的调控 | 第48-52页 |
| ·光学性质的调控 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 6 总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 作者简历 | 第62页 |
