| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-33页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·阻变存储器(ReRAM) | 第12-19页 |
| ·阻变存储器的分类 | 第12-14页 |
| ·阻变存储器的阻变机制 | 第14-18页 |
| ·阻变存储器的研究进展及现状 | 第18-19页 |
| ·磁阻存储器(MRAM) | 第19-27页 |
| ·巨磁阻效应(GMR effect) | 第20-23页 |
| ·电流局限效应(Current-Confined Path,CCP)巨磁阻效应 | 第23-27页 |
| ·本论文工作的意义、目的和内容 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-33页 |
| 第2章 基于锆酸锶薄膜的阻变器件的制备和性能表征 | 第33-42页 |
| ·锆酸锶薄膜制备工艺 | 第33-35页 |
| ·前体溶液和衬底 | 第33页 |
| ·热处理温度的确定 | 第33-34页 |
| ·热处理工艺 | 第34-35页 |
| ·锆酸锶薄膜性能的表征 | 第35-38页 |
| ·薄膜结晶性能表征 | 第35-36页 |
| ·薄膜形貌分析 | 第36-37页 |
| ·薄膜成分分析 | 第37-38页 |
| ·基于锆酸锶薄膜的阻变器件的制备和电学性能的表征 | 第38-41页 |
| ·基于锆酸锶薄膜的阻变器件的制备 | 第38-39页 |
| ·基于锆酸锶薄膜的阻变器件的电学性能的测试 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第3章 基于锆酸锶薄膜的阻变存储器件性能测试和阻变机理的研究 | 第42-54页 |
| ·基于Pt/SrZrO_3/Pt的阻变存储器件的电学性能表征 | 第42-45页 |
| ·基于Pt/SrZrO_3/Pt的高低阻态导电机制的研究 | 第45-50页 |
| ·单极型氧化物阻变存储机理 | 第45页 |
| ·基于Pt/SrZrO_3/Pt阻变存储器件的高低阻态导电机制的研究 | 第45-47页 |
| ·基于Pt/SrZrO_3/Pt阻变存储器件的阻变机制的研究 | 第47-48页 |
| ·基于Pt/SrZrO_3/Pt阻变存储器件的高低阻态参数的统计 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第4章 基于Ni/NiO/Ni/Co_(83)Pt_(17)巨磁阻结构的制备和表征 | 第54-67页 |
| ·基于Ni/NiO/Ni/Co_(83)Pt_(17)巨磁阻结构的制备工艺 | 第54-60页 |
| ·微加工工艺 | 第54-58页 |
| ·薄膜制备方法 | 第58-60页 |
| ·基于Ni/NiO/Ni/Co_(83)Pt_(17)巨磁阻结构的性能表征 | 第60-66页 |
| ·NiO薄膜结晶性能表征 | 第60页 |
| ·利用扫描电子显微镜分析制备的纳米点阵列的形状 | 第60-62页 |
| ·利用VSM测量Ni/NiO/Ni/Co_(83)Pt_(17)多层薄膜的磁学性质 | 第62页 |
| ·利用导电原子力显微镜测量Ni/NiO/Ni/Co_(83)Pt_(17)巨磁阻结构的MR效应 | 第62-66页 |
| 参考文献 | 第66-67页 |
| 第5章 基于Ni/NiO/Ni/Co_(83)Pt_(17)巨磁阻结构的性能测试和机理研究 | 第67-75页 |
| ·基于Ni/NiO/Ni/Co_(83)Pt_(17)巨磁阻结构的性能测试 | 第67-69页 |
| ·电极衬底的制备 | 第67-68页 |
| ·利用导电AFM进行GMR测量的装置介绍 | 第68页 |
| ·锁相放大器在测量回路中的引入 | 第68-69页 |
| ·基于Ni/NiO/Ni/Co_(83)Pt_(17)巨磁阻结构的GMR效应机制研究 | 第69-73页 |
| ·利用VSM进行磁学性质分析 | 第70-71页 |
| ·Ni/NiO/Ni/Co_(83)Pt_(17)巨磁阻结构的GMR效应及其机理分析 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第6章 结论与展望 | 第75-78页 |
| ·结论 | 第75-76页 |
| ·展望 | 第76-78页 |
| 攻读硕士期间完成的工作 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
