| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 前言 | 第12-22页 |
| ·高压物理学的发展 | 第12-13页 |
| ·高压实验装置与技术 | 第13-15页 |
| ·金刚石对顶砧（diamond anvil cell-DAC）装置 | 第13-14页 |
| ·密封垫的选择 | 第14页 |
| ·传压介质的选择 | 第14-15页 |
| ·压力的标定 | 第15页 |
| ·高压电学研究 | 第15-19页 |
| ·高压电学的发展 | 第15-17页 |
| ·高压电学的研究意义 | 第17-19页 |
| ·本论文的选题目的和意义 | 第19-20页 |
| ·论文各部分的主要内容 | 第20-22页 |
| 第二章 高压电学测量方法和测量微电路的集成 | 第22-34页 |
| ·高压下直流电阻率、Hall 效应测量 | 第22-25页 |
| ·Van der Pauw 直流电阻率测量方法 | 第22-23页 |
| ·变温电阻率测量 | 第23页 |
| ·高压 Hall 效应测量方法 | 第23-25页 |
| ·高压下交流阻抗谱法 | 第25-27页 |
| ·高压原位电学测量集成技术和测量方法 | 第27-34页 |
| ·金刚石对顶砧上集成微电路 | 第27-31页 |
| ·样品的组装 | 第31-34页 |
| 第三章 高压下 SnO 的电学性质研究 | 第34-48页 |
| ·SnO 的概况及高压研究背景 | 第34-37页 |
| ·SnO 的常压表征 | 第37-38页 |
| ·SnO 的高压电学研究 | 第38-46页 |
| ·SnO 的高压直流电阻率测量 | 第38-39页 |
| ·SnO 的高压 Hall 效应测量 | 第39-40页 |
| ·SnO 的高压变温电阻率测量 | 第40-43页 |
| ·SnO 的高压第一性原理计算 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 高压下 Ag_2S 的电学性质研究 | 第48-58页 |
| ·Ag_2S 的概况及高压研究背景 | 第48-50页 |
| ·Ag_2S 的常压表征 | 第50-51页 |
| ·Ag_2S 的高压电学研究 | 第51-57页 |
| ·Ag_2S 的高压 Hall 效应测量 | 第51-52页 |
| ·Ag_2S 的高压第一性原理计算 | 第52-55页 |
| ·Ag_2S 的高压变温电阻率测量 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 高压下拓扑绝缘体 A_2B_3(A=Bi、Sb，B=Te、Se)的电学性质研究 | 第58-80页 |
| ·Bi_2Te_3、Bi_2Se_3以及 Sb_2Te_3的概况及高压研究背景 | 第58-62页 |
| ·Bi_2Te_3的高压电学研究 | 第62-68页 |
| ·Bi_2Te_3的常压表征 | 第62-63页 |
| ·Bi_2Te_3的高压直流电阻率测量 | 第63-64页 |
| ·Bi_2Te_3的高压 Hall 效应测量 | 第64-67页 |
| ·Bi_2Te_3的高压变温电阻率测量 | 第67-68页 |
| ·Bi_2Se_3的高压电学研究 | 第68-72页 |
| ·Bi_2Se_3的常压表征 | 第68-69页 |
| ·Bi_2Se_3的高压 Hall 效应测量 | 第69-71页 |
| ·Bi_2Se_3的高压变温电阻率测量 | 第71-72页 |
| ·Sb_2Te_3的高压电学研究 | 第72-78页 |
| ·Sb_2Te_3的常压表征 | 第72-73页 |
| ·Sb_2Te_3的高压 Hall 效应测量 | 第73-76页 |
| ·Sb_2Te_3的高压变温电阻率测量 | 第76-78页 |
| ·高压下三种化合物的电输运特性对比 | 第78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 第六章 总结与展望 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-96页 |
| 作者简介及科研成果 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98页 |
