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缺陷诱导的低维碳材料电子结构

摘要第1-7页
Abstract第7-14页
第1章 绪论第14-32页
   ·低维纳米碳材料第15-21页
     ·低维碳材料上的缺陷第18-19页
     ·碳纳米管的固有磁性第19-20页
     ·自旋极化的研究方法第20-21页
   ·锕系元素及计算方法第21-23页
     ·锕系元素第21-22页
     ·锕系元素的计算方法第22-23页
   ·研究目的及意义第23-24页
 参考文献第24-32页
第2章 理论模型与计算方法第32-50页
   ·HF 方程第32-33页
   ·HK 定理第33-34页
   ·KS 方程第34-35页
   ·密度泛函理论第35-36页
   ·局域密度近似第36页
   ·广义梯度近似第36-37页
   ·相对论密度泛函第37-38页
   ·基组第38-40页
   ·布居分析第40-41页
   ·振动频率计算第41-43页
   ·键级分析第43-45页
 参考文献第45-50页
第3章 缺陷碳纳米管的电子结构和特征振动模式第50-66页
   ·引言第50-51页
   ·计算细节第51-52页
   ·结果与讨论第52-59页
   ·小结第59-60页
 参考文献第60-66页
第4章 电子展开基函数对碳吸附缺陷结构自旋极化效应计算结果的影响第66-92页
   ·引言第66-68页
   ·计算细节第68-69页
   ·结果与讨论第69-84页
   ·小结第84-85页
 参考文献第85-92页
第5章 U 原子吸附碳纳米管内外表面的稳定机制第92-120页
   ·引言第92-94页
   ·计算细节第94-95页
   ·结果与讨论第95-112页
   ·小结第112页
 参考文献第112-120页
第6章 曲率对碳纳米管内表面吸附 U 原子机制的影响第120-138页
   ·引言第120-122页
   ·计算细节第122-123页
   ·结果与讨论第123-130页
   ·小结第130-131页
 参考文献第131-138页
第7章 总结与展望第138-142页
   ·总结第138-139页
   ·展望第139-142页
作者在学期间所取得的科研成果第142-144页
致谢第144页

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