| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目次 | 第7-9页 |
| 第一章 概述 | 第9-13页 |
| ·研究背景及意义 | 第9-11页 |
| ·集成光电一体化材料发展趋势 | 第9页 |
| ·GaN材料性质及其应用方向 | 第9页 |
| ·GaN薄膜制备方法及实验中的主要问题 | 第9-10页 |
| ·计算机模拟研究的意义 | 第10页 |
| ·本文主要内容 | 第10-11页 |
| ·GaN表面缺陷研究进展 | 第11-12页 |
| ·实验研究 | 第11页 |
| ·理论研究 | 第11-12页 |
| ·GaN基上生长吸附原子/小分子的研究 | 第12-13页 |
| 第二章 半导体表面研究方法与原理 | 第13-19页 |
| ·实验仪器探测方法 | 第13页 |
| ·理论研究方法 | 第13-16页 |
| ·半导体表面电学性质研究 | 第13-14页 |
| ·半导体表面能计算方法及原理 | 第14-16页 |
| ·半导体表面形成能的计算方法 | 第16页 |
| ·CASTEP软件包计算半导体性质应用 | 第16-19页 |
| ·CASTEP软件包计算任务及方法 | 第16-17页 |
| ·CASTEP软件包计算原理介绍 | 第17-19页 |
| 第三章 GaN线缺陷表面的理论研究 | 第19-33页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·线缺陷表面物理模型及计算方法 | 第19-22页 |
| ·物理模型 | 第19-22页 |
| ·计算方法 | 第22页 |
| ·结果讨论与数据分析 | 第22-32页 |
| ·线缺陷表面原子几何结构 | 第22-25页 |
| ·线缺陷表面电子结构分析 | 第25-30页 |
| ·线缺陷表面的表面能 | 第30-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第四章 GaN台阶表面的理论研究 | 第33-44页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·台阶表面物理模型及计算方法 | 第33-35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-43页 |
| ·台阶缺陷表面几何结构分析 | 第35-36页 |
| ·台阶缺陷表面的表面能分析 | 第36-38页 |
| ·台阶缺陷表面的电子结构分析 | 第38-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第五章 GaN(0001)表面缺陷对吸附影响的研究 | 第44-55页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·表面吸附模型与计算方法 | 第44-46页 |
| ·表面吸附模型 | 第44-46页 |
| ·计算方法 | 第46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-54页 |
| ·GaN(0001)表面吸附TiO_2系统的最终模型 | 第46-48页 |
| ·GaN(0001)表面吸附TiO_2系统的表面形成能 | 第48-49页 |
| ·GaN(0001)表面吸附TiO_2系统的电子结构 | 第49-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第六章 工作总结与发展方向 | 第55-57页 |
| ·本文工作总结 | 第55-56页 |
| ·工作发展方向 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 在校期间的科研成果 | 第65页 |
