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SoC嵌入式Flash的内建自测试方法的研究与实现

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-15页
   ·课题的背景及其研究意义第10-11页
   ·国内外研究现状第11-12页
   ·发展趋势第12-13页
   ·本论文的结构安排第13-15页
第二章 Flash的工作原理和故障模型第15-26页
   ·Flash存储器的结构及工作原理第15-20页
     ·Flash存储器的工作原理第15-16页
     ·Flash存储器阵列结构第16-18页
     ·Flash存储器架构第18-20页
   ·存储器固有故障第20-24页
     ·固定故障第20-21页
     ·转换故障第21页
     ·桥接故障第21-22页
     ·耦合故障第22-24页
     ·寻址故障第24页
   ·Flash存储器特有故障第24-25页
   ·本章小结第25-26页
第三章 存储器测试算法研究第26-34页
   ·存储器测试算法概述第26-27页
     ·存储器测试算法基本原理第26页
     ·存储器测试算法评价指标第26-27页
   ·存储器测试算法分析第27-32页
     ·MSCAN (Memory Scan)算法第27页
     ·Gallop(Galloping Pattern) 算法第27-29页
     ·Checkboard算法第29-30页
     ·March及其衍生算法第30-32页
   ·本章小结第32-34页
第四章 Flash内建自测试电路设计第34-48页
   ·FlashIP介绍第34-36页
   ·内建自测试(BIST)方案第36-39页
     ·并行接口测试方案第36-37页
     ·半并行接口测试方案第37-38页
     ·串行接口测试方案第38-39页
   ·内建自测试(BIST)电路设计第39-47页
     ·电路整体描述第39-41页
     ·电路工作模式第41-47页
   ·本章小结第47-48页
第五章 Flash内建自测试电路仿真及验证第48-57页
   ·自测试模式仿真第48-56页
     ·读(Read)、写(Program)第48-50页
     ·按区擦除(SectorErase)第50-51页
     ·按块擦除(BlockEase)第51页
     ·Checkboad 测试第51-54页
     ·March-FT测试第54-56页
   ·串行接口测试模式仿真第56页
   ·Flash正常工作模式第56页
   ·本章小结第56-57页
第六章 结论第57-58页
致谢第58-59页
参考文献第59-61页
攻硕期间取得的研究成果第61-62页

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