| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·氧化锌 | 第11-15页 |
| ·ZnO晶体的基本性质与结构 | 第11-12页 |
| ·ZnO的低维结构研究 | 第12-15页 |
| ·光催化技术的概述 | 第15-21页 |
| ·半导体光催化技术基本原理 | 第15-17页 |
| ·提高ZnO光催化反应效率的途径 | 第17-21页 |
| ·ZnO光催化降解有机物的现状 | 第21-24页 |
| ·ZnO光催化剂的研究现状 | 第21-23页 |
| ·半导体光催化研究存在的主要问题 | 第23-24页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第24-26页 |
| 第二章 Li~+掺杂ZnO纳米带阵列薄膜的制备及其光催化性能研究 | 第26-50页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·Li~+-ZnO多孔纳米带阵列薄膜调控制备及其光催化性能研究 | 第27-40页 |
| ·实验部分 | 第27-29页 |
| ·试剂和仪器 | 第27-28页 |
| ·样品的制备 | 第28-29页 |
| ·样品的表征 | 第29页 |
| ·光催化性能评价 | 第29-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-39页 |
| ·前驱体的XRD、SEM表征 | 第30-31页 |
| ·最终样品的XRD、SEM、TEM表征 | 第31-35页 |
| ·样品的Uv-vis分析 | 第35-36页 |
| ·光催化性能分析 | 第36-39页 |
| ·结论 | 第39-40页 |
| ·CdS/ZnO和CdS/Li~+-ZnO纳米带阵列薄膜的调控制备及其光催化性能研究 | 第40-50页 |
| ·实验部分 | 第40-42页 |
| ·试剂和仪器 | 第40-41页 |
| ·样品的制备 | 第41-42页 |
| ·样品的表征 | 第42页 |
| ·光催化性能评价 | 第42-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-49页 |
| ·样品的XRD、SEM、TEM表征 | 第43-46页 |
| ·样品的紫外-可见(UV-vis)吸收光谱测试 | 第46页 |
| ·样品的光催化性能测试 | 第46-49页 |
| ·结论 | 第49-50页 |
| 第三章 总结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
