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电流源控制的双极型器件

摘要第1-5页
Abstract第5-8页
第1章 绪论第8-14页
   ·电力电子技术简介第8-9页
   ·电力电子器件第9-13页
   ·本文主要工作第13-14页
第2章 功率半导体器件工作原理及常用技术第14-31页
   ·各种功率器件结构及原理第14-25页
     ·双极型功率晶体管第14-19页
     ·绝缘栅型双极功率器件第19-25页
     ·功率MOSFET第25页
   ·功率半导体器件常用技术第25-28页
     ·中子嬗变掺杂技术第26页
     ·硅片直接键合技术第26-27页
     ·优化横向变掺杂技术第27-28页
   ·Medici仿真简介第28-31页
     ·Medici仿真的基本方程第29页
     ·边界条件第29-31页
第3章 控制两种载流子的双极型器件第31-51页
   ·器件结构和工作原理第31-35页
     ·器件结构第31-33页
     ·电子和空穴饱和速度的讨论第33-35页
   ·外加两个电流源的Medici仿真结果第35-39页
   ·为消除K1、K2电压差而改进后的结构及仿真结果第39-41页
   ·两个电流源的实现方法第41-43页
   ·耐压3300V的元胞设计和VLD终端设计第43-50页
     ·耐压3300V的元胞设计第43-46页
     ·耐压3300V的横向优化变掺杂终端设计第46-50页
   ·本章小结第50-51页
第4章 SJ-IGBT工作机理分析第51-61页
   ·SJ-IGBT器件结构介绍第51-52页
   ·器件正向耐压能力分析第52-54页
   ·SJ-IGBT向工作机理分析第54-59页
   ·本章小结第59-61页
第5章 总结第61-63页
致谢第63-64页
参考文献第64-67页
攻硕期间取得研究成果第67页

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