电流源控制的双极型器件
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| ·电力电子技术简介 | 第8-9页 |
| ·电力电子器件 | 第9-13页 |
| ·本文主要工作 | 第13-14页 |
| 第2章 功率半导体器件工作原理及常用技术 | 第14-31页 |
| ·各种功率器件结构及原理 | 第14-25页 |
| ·双极型功率晶体管 | 第14-19页 |
| ·绝缘栅型双极功率器件 | 第19-25页 |
| ·功率MOSFET | 第25页 |
| ·功率半导体器件常用技术 | 第25-28页 |
| ·中子嬗变掺杂技术 | 第26页 |
| ·硅片直接键合技术 | 第26-27页 |
| ·优化横向变掺杂技术 | 第27-28页 |
| ·Medici仿真简介 | 第28-31页 |
| ·Medici仿真的基本方程 | 第29页 |
| ·边界条件 | 第29-31页 |
| 第3章 控制两种载流子的双极型器件 | 第31-51页 |
| ·器件结构和工作原理 | 第31-35页 |
| ·器件结构 | 第31-33页 |
| ·电子和空穴饱和速度的讨论 | 第33-35页 |
| ·外加两个电流源的Medici仿真结果 | 第35-39页 |
| ·为消除K1、K2电压差而改进后的结构及仿真结果 | 第39-41页 |
| ·两个电流源的实现方法 | 第41-43页 |
| ·耐压3300V的元胞设计和VLD终端设计 | 第43-50页 |
| ·耐压3300V的元胞设计 | 第43-46页 |
| ·耐压3300V的横向优化变掺杂终端设计 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 SJ-IGBT工作机理分析 | 第51-61页 |
| ·SJ-IGBT器件结构介绍 | 第51-52页 |
| ·器件正向耐压能力分析 | 第52-54页 |
| ·SJ-IGBT向工作机理分析 | 第54-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第5章 总结 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻硕期间取得研究成果 | 第67页 |