| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 插图索引 | 第13-17页 |
| 附表索引 | 第17-18页 |
| 第1章 绪论 | 第18-37页 |
| ·碳化硅 | 第18-22页 |
| ·碳化硅的基本结构 | 第18-19页 |
| ·SiC的性能 | 第19-21页 |
| ·SiC陶瓷材料的分类及发展 | 第21-22页 |
| ·RSiC的研究进展 | 第22-28页 |
| ·胶态成型 | 第22-28页 |
| ·可塑法成型 | 第28页 |
| ·干压成型 | 第28页 |
| ·RSiC的性能与应用 | 第28-35页 |
| ·结构材料 | 第29-30页 |
| ·多孔材料 | 第30-34页 |
| ·热交换材料 | 第34页 |
| ·电热材料 | 第34-35页 |
| ·复合材料 | 第35页 |
| ·本文研究的目的与内容 | 第35-37页 |
| ·研究目的 | 第35-36页 |
| ·研究内容 | 第36-37页 |
| 第2章 RSiC的再结晶烧结过程研究 | 第37-62页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·实验 | 第38-40页 |
| ·单一粒径组成RSiC样品的制备 | 第38-39页 |
| ·混合粒径原料组成的RSiC样品制备 | 第39页 |
| ·表征与测试 | 第39-40页 |
| ·单一粒径分布对RSiC的显微结构的影响 | 第40-51页 |
| ·原料形貌及粒径分布 | 第40-42页 |
| ·烧结体的密度及显微形貌随温度的变化 | 第42-47页 |
| ·烧结体的颗粒粒径分布随温度的变化 | 第47-49页 |
| ·烧结、颗粒长大、局部致密化与温度之间的相互关系 | 第49-51页 |
| ·混合粒径组成对RSiC的烧成及显微结构的影响 | 第51-61页 |
| ·原料粉体及压制体烧结后的显微形貌及其随温度演变 | 第51-55页 |
| ·烧结和颗粒长大与温度及原始颗粒粒径比的关系 | 第55-60页 |
| ·局部致密化及大颗粒作用 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第3章 原料SiO_2杂质对SiC再结晶的影响研究 | 第62-81页 |
| ·引言 | 第62-64页 |
| ·实验 | 第64-65页 |
| ·原料 | 第64-65页 |
| ·制备及表征 | 第65页 |
| ·SiO_2对SiC再结晶过程的影响 | 第65-74页 |
| ·初始SiO_2杂质对SiC再结晶过程中失重的影响 | 第65-66页 |
| ·初始SiO_2含量对RSiC显微结构变化的影响 | 第66-69页 |
| ·SiO_2杂质对SiC再结晶过程影响的探讨 | 第69-74页 |
| ·SiO_2的存在对副产物及其形成机制的影响 | 第74-79页 |
| ·副产物的形貌及组成 | 第74-76页 |
| ·副产物的形成探讨 | 第76-77页 |
| ·SiC晶体长大的理论探讨 | 第77-79页 |
| ·SiO_2杂质对SiC烧成工艺的影响 | 第79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第4章 聚合物浸渍-裂解法与再结晶结合制备高密度RSiC研究 | 第81-103页 |
| ·引言 | 第81-83页 |
| ·实验 | 第83-85页 |
| ·原料 | 第84页 |
| ·工艺过程 | 第84-85页 |
| ·表征测试 | 第85页 |
| ·PCS裂解过程、产物及碳杂质消除 | 第85-89页 |
| ·PIP增密研究 | 第89-97页 |
| ·PCS/Xylene溶液的PIP增密研究 | 第89-92页 |
| ·SiC/PCS/xylene浆料的PIP增密研究 | 第92-96页 |
| ·PIP增密RSiC的不足 | 第96-97页 |
| ·再结晶与PIP-再结晶循环对RSiC致密化及性能的影响 | 第97-102页 |
| ·再结晶与PIP-再结晶循环对RSiC显微结构及致密度的影响 | 第97-100页 |
| ·再结晶与PIP-再结晶循环对RSiC性能的影响 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 第5章 熔渗法制备RSiC-MoSi_2三维互穿复合材料 | 第103-122页 |
| ·引言 | 第103-106页 |
| ·实验 | 第106-107页 |
| ·原料 | 第106页 |
| ·复合材料的制备 | 第106-107页 |
| ·表征测试 | 第107页 |
| ·RSiC-MoSi_2复合材料的组成、显微结构形成及性能研究 | 第107-118页 |
| ·熔渗温度对复合材料相组成的影响 | 第107-108页 |
| ·RSiC-MoSi_2复合材料显微结构形成分析 | 第108-111页 |
| ·RSiC-MoSi_2复合材料的抗氧化性能研究 | 第111-115页 |
| ·熔渗处理对材料热膨胀的影响 | 第115-116页 |
| ·RSiC-MoSi_2复合材料的力学性能 | 第116-117页 |
| ·熔渗对材料电阻率的影响 | 第117-118页 |
| ·RSiC-MoSi_2材料的改进设计 | 第118-121页 |
| ·升温制度的改变 | 第118-119页 |
| ·优化SiC粒径组成 | 第119-120页 |
| ·待研究的问题 | 第120-121页 |
| ·本章小结 | 第121-122页 |
| 结论与展望 | 第122-124页 |
| 结论 | 第122-123页 |
| 展望 | 第123-124页 |
| 参考文献 | 第124-137页 |
| 致谢 | 第137-138页 |
| 附录A 攻读博士学位期间所发表的学术论文目录 | 第138页 |
