摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
1 绪论 | 第10-25页 |
·ZnO的基本性质 | 第10-16页 |
·ZnO的应用 | 第16-24页 |
·本论文主要研究内容 | 第24-25页 |
2 ZnO薄膜的制备技术与表征方法 | 第25-43页 |
·ZnO薄膜的制备技术 | 第25-29页 |
·脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition) | 第25-26页 |
·金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vaper Deposition) | 第26-27页 |
·分子束外延(Molecular Beam Epitaxy) | 第27-28页 |
·溅射法(Sputtering) | 第28页 |
·电子束蒸发(Electron-beam evaporation) | 第28页 |
·溶胶-凝胶法(Sol-gel) | 第28-29页 |
·超声喷雾热分解法(Ultrasonic Spray Pyrolysis) | 第29页 |
·本论文中所使用的PLD薄膜生长系统和工艺流程 | 第29-34页 |
·脉冲激光沉积技术原理 | 第29-30页 |
·脉冲激光沉积系统的结构 | 第30-33页 |
·使用脉冲激光沉积系统制备薄膜的工艺流程 | 第33-34页 |
·ZnO薄膜的表征方法 | 第34-43页 |
·X射线衍射(X-ray diffraction) | 第34-35页 |
·扫描电子显微镜(Scanning electron microscope) | 第35-36页 |
·原子力显微镜(Atomic force microscope) | 第36-37页 |
·光致发光谱(Photoluminescence) | 第37-38页 |
·透射谱(Transmittance spectra) | 第38页 |
·霍尔效应测量(Hall Effect) | 第38-41页 |
·二次离子质谱(secondary ion mass spectra) | 第41页 |
·X射线光电子能谱(X-ray photoelecrtron spectroscopy) | 第41-43页 |
3 c面Al_2O_3上制备未掺杂ZnO薄膜 | 第43-52页 |
·样品制备 | 第43-44页 |
·实验结果与讨论 | 第44-51页 |
·XRD分析 | 第44-46页 |
·SEM分析 | 第46-48页 |
·PL谱分析 | 第48-51页 |
·本章小结 | 第51-52页 |
4 c面A1203上制备Sb掺杂的p型ZnO薄膜 | 第52-78页 |
·利用原子尺寸较大的V族掺杂剂制备p型ZnO的理论模型 | 第52-53页 |
·氧气氛中退火温度对Sb掺杂的ZnO薄膜性质的影响 | 第53-65页 |
·样品制备 | 第53-54页 |
·电学特性分析 | 第54-55页 |
·XRD分析 | 第55-60页 |
·SEM分析 | 第60-63页 |
·低温PL谱分析 | 第63-65页 |
·生长温度对Sb掺杂的ZnO薄膜性质的影响 | 第65-72页 |
·样品制备 | 第65-66页 |
·电学特性分析 | 第66-67页 |
·XRD分析 | 第67-69页 |
·低温PL谱分析 | 第69-72页 |
·透射谱分析 | 第72页 |
·AlN薄膜对Sb掺杂ZnO薄膜退火的保护作用 | 第72-76页 |
·样品制备 | 第73-74页 |
·PL谱分析 | 第74-76页 |
·本章小结 | 第76-78页 |
5 磷掺杂p型ZnO薄膜和掺银ZnO薄膜的制备与研究 | 第78-91页 |
·生长温度对P掺杂ZnO薄膜性质的影响 | 第78-85页 |
·样品制备 | 第78-79页 |
·XRD分析 | 第79-80页 |
·低温PL谱分析 | 第80-84页 |
·透射谱分析 | 第84页 |
·电学特性分析 | 第84-85页 |
·生长温度对Ag掺杂ZnO薄膜PL谱的影响 | 第85-89页 |
·样品制备 | 第85-86页 |
·室温PL谱测试分析 | 第86-87页 |
·低温PL谱测试分析 | 第87-89页 |
·本章小结 | 第89-91页 |
结论 | 第91-93页 |
本论文创新点摘要 | 第93-94页 |
参考文献 | 第94-100页 |
攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第100-101页 |
致谢 | 第101-102页 |
作者简介 | 第102-103页 |