首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

P型ZnO薄膜的脉冲激光沉积法制备及其特性研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
1 绪论第10-25页
   ·ZnO的基本性质第10-16页
   ·ZnO的应用第16-24页
   ·本论文主要研究内容第24-25页
2 ZnO薄膜的制备技术与表征方法第25-43页
   ·ZnO薄膜的制备技术第25-29页
     ·脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition)第25-26页
     ·金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vaper Deposition)第26-27页
     ·分子束外延(Molecular Beam Epitaxy)第27-28页
     ·溅射法(Sputtering)第28页
     ·电子束蒸发(Electron-beam evaporation)第28页
     ·溶胶-凝胶法(Sol-gel)第28-29页
     ·超声喷雾热分解法(Ultrasonic Spray Pyrolysis)第29页
   ·本论文中所使用的PLD薄膜生长系统和工艺流程第29-34页
     ·脉冲激光沉积技术原理第29-30页
     ·脉冲激光沉积系统的结构第30-33页
     ·使用脉冲激光沉积系统制备薄膜的工艺流程第33-34页
   ·ZnO薄膜的表征方法第34-43页
     ·X射线衍射(X-ray diffraction)第34-35页
     ·扫描电子显微镜(Scanning electron microscope)第35-36页
     ·原子力显微镜(Atomic force microscope)第36-37页
     ·光致发光谱(Photoluminescence)第37-38页
     ·透射谱(Transmittance spectra)第38页
     ·霍尔效应测量(Hall Effect)第38-41页
     ·二次离子质谱(secondary ion mass spectra)第41页
     ·X射线光电子能谱(X-ray photoelecrtron spectroscopy)第41-43页
3 c面Al_2O_3上制备未掺杂ZnO薄膜第43-52页
   ·样品制备第43-44页
   ·实验结果与讨论第44-51页
     ·XRD分析第44-46页
     ·SEM分析第46-48页
     ·PL谱分析第48-51页
   ·本章小结第51-52页
4 c面A1203上制备Sb掺杂的p型ZnO薄膜第52-78页
   ·利用原子尺寸较大的V族掺杂剂制备p型ZnO的理论模型第52-53页
   ·氧气氛中退火温度对Sb掺杂的ZnO薄膜性质的影响第53-65页
     ·样品制备第53-54页
     ·电学特性分析第54-55页
     ·XRD分析第55-60页
     ·SEM分析第60-63页
     ·低温PL谱分析第63-65页
   ·生长温度对Sb掺杂的ZnO薄膜性质的影响第65-72页
     ·样品制备第65-66页
     ·电学特性分析第66-67页
     ·XRD分析第67-69页
     ·低温PL谱分析第69-72页
     ·透射谱分析第72页
   ·AlN薄膜对Sb掺杂ZnO薄膜退火的保护作用第72-76页
     ·样品制备第73-74页
     ·PL谱分析第74-76页
   ·本章小结第76-78页
5 磷掺杂p型ZnO薄膜和掺银ZnO薄膜的制备与研究第78-91页
   ·生长温度对P掺杂ZnO薄膜性质的影响第78-85页
     ·样品制备第78-79页
     ·XRD分析第79-80页
     ·低温PL谱分析第80-84页
     ·透射谱分析第84页
     ·电学特性分析第84-85页
   ·生长温度对Ag掺杂ZnO薄膜PL谱的影响第85-89页
     ·样品制备第85-86页
     ·室温PL谱测试分析第86-87页
     ·低温PL谱测试分析第87-89页
   ·本章小结第89-91页
结论第91-93页
本论文创新点摘要第93-94页
参考文献第94-100页
攻读博士学位期间发表学术论文情况第100-101页
致谢第101-102页
作者简介第102-103页

论文共103页,点击 下载论文
上一篇:介孔SiO2材料及相应复合气凝胶体系的合成
下一篇:苏轼诙谐诗风研究