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低噪声LTE发射机中带有注入锁定分频器的直接正交调制器的研究及设计

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-7页
图录第7-9页
表录第9-10页
第一章 引言第10-13页
   ·LTE 简介第10-11页
   ·CMOS 工艺介绍第11页
   ·论文的研究内容及主要结构第11-13页
第二章 发射机系统结构第13-18页
   ·常用的发射机结构第13-16页
     ·超外差式发射机第13-14页
     ·直接上变频发射机第14-15页
     ·极化调制发射机第15-16页
   ·本课题方案的选择第16-17页
   ·小结第17-18页
第三章 混频器介绍第18-34页
   ·混频器原理第18-22页
     ·混频器的基本概念和原理第18-19页
     ·非线性系统的混频作用第19-21页
     ·开关电路作为混频器第21-22页
   ·混频器的主要性能指标第22-29页
     ·转换增益第22页
     ·噪声系数第22-23页
     ·线性度第23-28页
     ·隔离度第28页
     ·其他性能参数第28-29页
   ·混频器的分类第29-32页
     ·无源混频器第29-31页
     ·有源混频器第31-32页
   ·小结第32-34页
第四章 调制器的研究、设计及优化第34-56页
   ·25%占空比无源混频器的分析第35-37页
   ·正交本振信号的产生和研究第37-50页
     ·RC-CR 网络第37-38页
     ·频率除法器第38-41页
     ·注入锁定分频器第41-44页
     ·25%正交本振信号的产生第44-50页
   ·调制器与本振产生器的电路设计第50-55页
     ·无源电压调制器第51-53页
     ·25%占空比本振信号产生器的实现第53-55页
   ·小结第55-56页
第五章 仿真结果、版图及分析第56-66页
   ·仿真条件第56-58页
   ·仿真结果第58-64页
     ·调制器的仿真结果第58-61页
     ·ILFD 与25%正交本振信号的产生器的仿真结果第61-64页
   ·版图及后仿结果第64-65页
   ·小结第65-66页
第六章 总结及展望第66-67页
参考文献第67-70页
致谢第70-71页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第71-73页

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