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0.18μm CMOSDVB-S.2接收机射频端设计

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-11页
第一章 绪论第11-17页
   ·研究背景及意义第11-12页
   ·DVB-S.2 卫星数字标准简介第12-15页
     ·DVB-S 卫星数字电视标准[1]第13-14页
     ·DVB-S.2 卫星数字电视标准第14-15页
   ·国内外发展现状与趋势第15页
   ·课题主要工作第15-16页
   ·论文组织结构第16页
   ·本章小结第16-17页
第二章 深亚微米工艺器件基础第17-33页
   ·场效应管第17-26页
     ·噪声(Noise)第18-21页
     ·现代场效应晶体管的非理想特性第21-25页
     ·TSMC 0.18μm 工艺中的MOS 模型第25-26页
   ·片上电容第26-27页
   ·片上电感第27-32页
   ·本章小结第32-33页
第三章 射频接收机基础第33-44页
   ·接收机结构第33-38页
     ·外差射频接收机结构第33-36页
     ·同音射频滤波器第36-38页
   ·射频接收机的重要性能指标第38-43页
     ·噪声系数第38-39页
     ·灵敏度第39-40页
     ·动态范围第40页
     ·线性度第40-43页
   ·本章小结第43-44页
第四章 射频低噪声放大器基础第44-59页
   ·噪声匹配和功率匹配第44-47页
     ·噪声匹配第45-47页
     ·功率匹配第47页
   ·传统低噪声放大器结构第47-52页
     ·输入端加入并联电阻的共源低噪声放大器第47-48页
     ·电阻反馈低噪声放大器第48-49页
     ·共栅低噪声放大器第49-50页
     ·源级电感负反馈低噪声放大器第50-52页
   ·设计实例第52-58页
     ·改进型的源级电感负反馈低噪声放大器第54-55页
     ·噪声消除低噪声放大器第55-57页
     ·本论文的抗干扰伪差分宽带噪声放大器第57-58页
   ·本章小结第58-59页
第五章 抗干扰伪差分宽带低噪声放大器与下变频混频器第59-70页
   ·宽带输入匹配和可调负载谐振网络第59-61页
     ·宽带输入匹配第59-60页
     ·可调负载谐振网络第60-61页
   ·对GSM 信号的抑制第61-65页
     ·GSM 信号介绍第61-62页
     ·本课题提出的低噪声放大器对GSM 信号的抑制第62-65页
   ·电路实现细节第65-67页
     ·偏置第65-66页
     ·Cascode 晶体管第66-67页
   ·下变频混频器的设计第67-69页
     ·跨导级第68页
     ·开关级第68页
     ·电流缓冲器第68-69页
   ·本章小结第69-70页
第六章 版图设计和测试结果第70-79页
   ·版图设计第70-74页
     ·模块的隔离第70-72页
     ·器件的匹配第72-74页
   ·测试结果第74-78页
     ·测试条件第74页
     ·直流工作点的测试第74页
     ·输入匹配的测试第74-75页
     ·增益的测试第75-77页
     ·噪声的测试第77页
     ·三阶交调点的测试第77-78页
     ·二阶交调点的测试第78页
   ·本章小结第78-79页
第七章 结束语第79-81页
   ·课题总结第79-80页
   ·未来工作第80-81页
参考文献第81-85页
致谢第85-86页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第86-89页

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