| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-31页 |
| ·纳米材料光学性质的研究意义和概况 | 第12-25页 |
| ·双核过渡金属配合物的研究意义和概况 | 第25-29页 |
| ·论文的研究目的与主要内容 | 第29-31页 |
| 第2章 方法和理论基础 | 第31-39页 |
| ·离散偶极近似 | 第31-33页 |
| ·密度泛函理论 | 第33-35页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第34页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第34-35页 |
| ·密度泛函近似 | 第35-37页 |
| ·局域密度近似泛函 | 第35-36页 |
| ·广义梯度近似泛函 | 第36-37页 |
| ·杂化密度泛函 | 第37页 |
| ·基组 | 第37-38页 |
| ·GAUSSIAN软件介绍 | 第38-39页 |
| 第3章 第一类材料——金纳米环 | 第39-69页 |
| ·金纳米环结构的光学性质 | 第39-46页 |
| ·金纳米环(1)的消光特性 | 第40-41页 |
| ·金纳米环(2)和纳米盘的消光特性 | 第41-43页 |
| ·消光效率与入射光的偏振方向关系 | 第43页 |
| ·表面等离子体共振激发产生的局域增强电场 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-46页 |
| ·金纳米环结构的共振耦合效应 | 第46-61页 |
| ·金纳米环二聚体的尺寸大小对共振耦合消光峰的影响 | 第47-48页 |
| ·金纳米环二聚体的间距对共振耦合消光峰的影响 | 第48-52页 |
| ·竖直排列的金纳米环共振耦合的局域增强电场分布 | 第52-54页 |
| ·水平排列的金纳米环二聚体的尺寸大小对电场分布的影响 | 第54-55页 |
| ·水平排列的金纳米环的间距对电场分布的影响 | 第55-59页 |
| ·银纳米环消光谱线研究 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| ·同心金纳米盘和金纳米环结构的光学性质 | 第61-69页 |
| ·同心结构的共振耦合消光特性 | 第62-66页 |
| ·同心金纳米盘和金纳米环结构的局域增强电场分布 | 第66-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 第4章 第二类材料——双核过渡金属配合物 | 第69-109页 |
| ·双核金属(第一过渡系)双甘菊环配合物 | 第69-88页 |
| ·(C_(10)H_8)_2M_2(M=Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni)双核过渡金属配合物 | 第71-86页 |
| ·金属键的键级 | 第86-87页 |
| ·小结 | 第87-88页 |
| ·双核甘菊环羰基配合物 | 第88-109页 |
| ·配合物C_(10)H_8Mn_2(CO)n(n=6、5、4、3、2)结构 | 第90-103页 |
| ·原子电荷密度和自然键轨道(NBO)分析 | 第103-105页 |
| ·离解能 | 第105-107页 |
| ·小结 | 第107-109页 |
| 第5章 结论和展望 | 第109-111页 |
| ·主要结论 | 第109-110页 |
| ·未来工作的展望 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-124页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及研究成果 | 第124-125页 |
