| 第一章 绪论 | 第1-42页 |
| 第一节 医学成像技术 | 第12-15页 |
| 1．1．1 医学成像技术 | 第12-14页 |
| 1．1．2 医学图象的数字化趋势 | 第14-15页 |
| 第二节 胶片成像及屏胶系统 | 第15-18页 |
| 1．2．1 胶片直接成像 | 第15页 |
| 1．2．2 屏-胶系统 | 第15-16页 |
| 1．2．3 胶片成像系统的优缺点 | 第16-17页 |
| 1．2．4 X射线成像中的散射及吸收研究 | 第17-18页 |
| 第三节 X射线图象板成像技术 | 第18-20页 |
| 第四节 基于转换屏的实时X射线成像系统 | 第20-26页 |
| 1．4．1 转换屏—摄像管成像系统（间接耦合系统） | 第21-24页 |
| 1．4．2 转换屏—二极管阵列平板成像器件（直接耦合系统） | 第24-26页 |
| 第五节 非晶硒X射线直接成像系统 | 第26-42页 |
| 1．5．1 X射线干板照相术（xeroradiography）—色粉（toner）方法 | 第27-28页 |
| 1．5．2 微电位计阵列读出—数字成像方法 | 第28-29页 |
| 1．5．3 激光束扫描读出（PID）—数字成像方法 | 第29-30页 |
| 1．5．4 电子束扫描读出—X射线视像管 | 第30-31页 |
| 1．5．5 薄膜晶体管（TFT）读出—非晶硒平板固体成像器件 | 第31-32页 |
| 1．5．6 非晶硒研究进展 | 第32-33页 |
| 小结 | 第33-35页 |
| 本论文的目的和内容 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-42页 |
| 第二章 非晶硒合金膜的制备及载流子迁移特性测量 | 第42-62页 |
| 第一节 非晶硒及非晶硒合金元素的选择 | 第42-46页 |
| 2．1．1 非晶态 | 第42-43页 |
| 2．1．2 硒单质 | 第43页 |
| 2．1．3 非晶硒 | 第43-46页 |
| 第二节 非晶硒合金膜的制备 | 第46-49页 |
| 第三节 飞行时间测量方法 | 第49-52页 |
| 2．3．1 飞行时间（Time Of Flight）测量方法 | 第49-51页 |
| 2．1．1 非平衡载流子的激发方法 | 第51-52页 |
| 第四节 非晶硒合金膜载流子特性测量 | 第52-62页 |
| 2．4．1 载流子激励方法确定 | 第52-53页 |
| 2．4．2 非晶硒合金膜载流子特性实验测量系统 | 第53-55页 |
| 2．4．3 非晶硒合金膜载流子特性测量结果和分析 | 第55-58页 |
| 2．4．4 非晶硒合金膜的稳定性 | 第58-59页 |
| 小结 | 第59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 第三章 非晶硒与X射线的相互作用 | 第62-91页 |
| 第一节 作用概率及初级作用中的能量吸收 | 第62-65页 |
| 3．1．1 作用概率 | 第62-63页 |
| 3．1．2 初级X光子作用过程中的能量吸收 | 第63-65页 |
| 第二节 K荧光重吸收 | 第65-71页 |
| 3．2．1 模型和方法 | 第65-68页 |
| 3．2．2 计算结果和分析 | 第68-71页 |
| 第三节 非相干散射、相干散射重吸收 | 第71-77页 |
| 3．3．1 方法和公式 | 第71-73页 |
| 3．3．2 计算结果和分析 | 第73-77页 |
| 第四节 非晶硒中的二次光子重吸收过程 | 第77-81页 |
| 3．4．1 X射线与非晶硒作用过程中的能量分配 | 第77页 |
| 3．4．2 二次光子重吸收概率 | 第77-81页 |
| 第五节 入射X射线具有谱分布时的二次光子重吸收过程 | 第81-91页 |
| 3．5．1 X射线谱分布 | 第81-86页 |
| 3．5．2 入射X射线具有谱分布时的二次光子重吸收过程 | 第86-88页 |
| 小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-91页 |
| 第四章 非晶硒器件的空间分辨率 | 第91-154页 |
| 第一节 影响非晶硒器件分辨率的因素 | 第91-94页 |
| 第二节 次级X光子重吸收对分辨率的影响 | 第94-100页 |
| 4．2．1 次级光子重吸收的横向扩展 | 第94-97页 |
| 4．2．2 K_α荧光光子重吸收 | 第97-98页 |
| 4．2．3 K_β荧光光子重吸收 | 第98页 |
| 4．2．4 非相干散射光子重吸收 | 第98-99页 |
| 4．2．5 相干散射光子重吸收 | 第99-100页 |
| 4．2．6 次级光子重吸收调制传递函数的比较 | 第100页 |
| 第三节 X光子在非晶硒器件中的横向扩展 | 第100-105页 |
| 4．3．1 单色X光子入射非晶硒时的横向扩展 | 第100-103页 |
| 4．3．2 X射线谱入射非晶硒时的横向扩展 | 第103-105页 |
| 第四节 高速电子在非晶硒器件中的横向扩展 | 第105-110页 |
| 第五节 电荷输运过程中的横向扩展 | 第110-116页 |
| 4．5．1 因存在浓度梯度而引起的横向扩展 | 第110-112页 |
| 4．5．2 非晶硒内电场弯曲引起载流子横向漂移 | 第112-115页 |
| 4．5．3 空间电荷效应引起的载流子横向漂移 | 第115-116页 |
| 第六节 表面横向扩展对分辨率的影响 | 第116-119页 |
| 第七节 X射线倾斜入射对分辨率的影响 | 第119-124页 |
| 第八节 单色X射线入射时非晶硒器件的分辨率 | 第124-133页 |
| 4．8．1 载流子激发过程光学传递函数 | 第124-126页 |
| 4．8．2 载流子输运及存储过程对应的光学传递函数 | 第126页 |
| 4．8．3 单色X射线入射时非晶硒器件的分辨率 | 第126-133页 |
| 第九节 入射X射线具有谱分布时非晶硒器件的分辨率 | 第133-143页 |
| 4．9．1 入射X射线具有谱分布时的光学传递函数 | 第134-135页 |
| 4．9．2 钨靶X射线谱入射时的分辨率 | 第135-139页 |
| 4．9．3 钼靶X射线谱入射时的分辨率 | 第139-143页 |
| 第十节 非晶硒器件分辨率评价 | 第143-154页 |
| 4．10．1 非晶硒器件分辨率因素评价 | 第143-146页 |
| 4．10．2 理论分析与实验结果的简单比较、说明 | 第146-148页 |
| 4．10．3 非晶硒器件分辨率与其它探测材料所构成的器件分辨率的简单比较 | 第148-150页 |
| 小结 | 第150-152页 |
| 参考文献 | 第152-154页 |
| 第五章 非晶硒对X射线的灵敏度和量子探测效率 | 第154-188页 |
| 第一节 非晶硒对X射线的灵敏度 | 第154-169页 |
| 5．1．1 非晶硒X射线光电导电荷收集效率 | 第155-159页 |
| 5．1．2 X射线入射时非晶硒吸收的能量 | 第159-162页 |
| 5．1．3 非晶硒对X射线的灵敏度 | 第162-169页 |
| 第二节 非晶硒对X射线的量子探测效率DQE | 第169-188页 |
| 5．2．1 量子探测效率DQE | 第169-171页 |
| 5．2．2 非晶硒器件量子探测效率DQE分析 | 第171-176页 |
| 5．2．3 非晶硒量子探测效率DQE | 第176-185页 |
| 小结 | 第185-186页 |
| 参考文献 | 第186-188页 |
| 第六章 非晶硒对X射线灵敏度的实验研究 | 第188-203页 |
| 第一节 非晶硒合金厚膜的制备和实验方法选择 | 第188-192页 |
| 6．1．1 实验目的和意义 | 第188页 |
| 6．1．2 实验背景和方法选择 | 第188-189页 |
| 6．1．3 非晶硒合金厚膜制备 | 第189页 |
| 6．1．4 非晶硒灵敏度实验测量系统 | 第189-192页 |
| 第二节 非晶硒合金膜灵敏度实验结果及分析 | 第192-195页 |
| 6．2．1 非晶硒灵敏度实验测量结果 | 第192页 |
| 6．2．2 分析 | 第192-195页 |
| 第三节 非晶硒合金膜灵敏度表征W_（±）计算 | 第195-203页 |
| 6．3．1 W_（±）计算 | 第195-198页 |
| 6．3．2 实验误差分析 | 第198-199页 |
| 6．3．3 关于W_（±）含义的讨论说明 | 第199-201页 |
| 小 结 | 第201页 |
| 参考文献 | 第201-203页 |
| 第七章 CsI:Na（CsI:TI）荧光逸出效率和对X射线的转换因子 | 第203-219页 |
| 第一节 CsI:Na荧光逸出效率 | 第203-208页 |
| 7．1．1 模型和方法 | 第203-206页 |
| 7．1．2 结果和分析 | 第206-208页 |
| 第二节 X射线入射时CsI:Na吸收的能量 | 第208-212页 |
| 第三节 CsI:Na对X射线的转换因子 | 第212-219页 |
| 7．3．1 转换因子 | 第212页 |
| 7．3．2 CsI:Na对单色X射线的转换因子 | 第212-214页 |
| 7．3．3 CsI:Na对钨靶X射线谱的平均转换因子 | 第214-215页 |
| 7．3．4 CsI:Na对钼靶X射线谱的平均转换因子 | 第215-216页 |
| 7．3．5 讨论 | 第216-217页 |
| 小结 | 第217-218页 |
| 参考文献 | 第218-219页 |
| 第八章 非晶硒X射线数字成像器件 | 第219-240页 |
| 第一节 薄膜晶体管阵列非晶硒X射线数字化固体成像器件 | 第219-227页 |
| 8．1．1 薄膜晶体管读出阵列非晶硒X射线成像器件 | 第219-220页 |
| 8．1．2 薄膜晶体管（TFT） | 第220-222页 |
| 8．1．3 薄膜晶体管（TFT）性能表征 | 第222页 |
| 8．1．4 像素信号幅度 | 第222-223页 |
| 8．1．5 薄膜晶体管的高压保护 | 第223-225页 |
| 8．1．6 读出阵列的分辨率 | 第225-227页 |
| 8．1．7 TFT读出阵列非晶硒X射线成像器件分辨率 | 第227页 |
| 第二节 α-Se-CsI:Na联合靶X射线数字化固体成像器件 | 第227-240页 |
| 8．2．1 问题提出 | 第227-230页 |
| 8．2．2 X光子入射α-Se-CsI:Na联合靶时的作用概率 | 第230-231页 |
| 8．2．3 X光子入射α-Se-CsI:Na联合靶时的能量吸收 | 第231-233页 |
| 8．2．4 CsI:Na荧光入射非晶硒 | 第233-234页 |
| 8．2．5 α-Se-CsI:Na联合靶对X射线的灵敏度 | 第234-235页 |
| 8．2．6 提高联合靶灵敏度的可能方法 | 第235-237页 |
| 小结 | 第237-238页 |
| 参考文献 | 第238-240页 |
| 第九章 总结与展望 | 第240页 |
| 9．1 全文总结 | 第240-244页 |
| 9．2 论文创新点 | 第244-245页 |
| 9．3 下一步工作设想 | 第245-246页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第246-247页 |
| 致 谢 | 第247页 |
