| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-21页 |
| §1.1 GaN基本性质 | 第11-12页 |
| §1.2 GaN生长研究 | 第12-16页 |
| 一 卤化物气相外延(HVPE)技术 | 第12-13页 |
| 二 金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术 | 第13-14页 |
| 三 分子束外延(MBE)技术 | 第14-15页 |
| 四 两步法生长技术 | 第15页 |
| 五 选区外延生长(Selective Area Epitaxial Growth) | 第15-16页 |
| 六 悬空外延(Pendeo-epitaxy)技术 | 第16页 |
| §1.3 GaN器件研究 | 第16-19页 |
| 一 电子器件 | 第16-17页 |
| 二 光电子器件 | 第17-19页 |
| §1.4 论文选题依据 | 第19-21页 |
| 第二章 GaN中的缺陷 | 第21-36页 |
| §2.1 理论方法 | 第22-23页 |
| §2.2 本征点缺陷 | 第23-26页 |
| §2.3 杂质缺陷 | 第26-28页 |
| §2.4 复合体缺陷 | 第28-29页 |
| §2.5 C杂质缺陷 | 第29-34页 |
| §2.6 GaN中的辐射跃迁类型 | 第34-36页 |
| 第三章 离子注入和退火 | 第36-45页 |
| §3.1 离子注入的射程和射程分布理论 | 第37-40页 |
| 一 射程概念和射程的均方偏差 | 第37-38页 |
| 二 注入离子在靶中的浓度分布 | 第38-39页 |
| 三 单晶靶中的射程分布 | 第39-40页 |
| §3.2 离子注入损伤 | 第40-42页 |
| §3.3 退火理论 | 第42-45页 |
| 一 点缺陷的迁移和动力学退火 | 第42-43页 |
| 二 热退火理论 | 第43-45页 |
| 第四章 实验方法、分析及结论 | 第45-77页 |
| §4.1 实验方法 | 第45-50页 |
| 一 GaN样品的准备和处理 | 第45-46页 |
| 二 离子注入 | 第46-48页 |
| 三 退火 | 第48页 |
| 四 光致发光谱的测量 | 第48-49页 |
| 五 微区Raman散射光谱的测量 | 第49-50页 |
| §4.2 C离子注入GaN的研究 | 第50-67页 |
| 一 C离子注入GaN光致发光谱的研究 | 第50-61页 |
| 二 C离子注入GaN微区Raman散射光谱的研究 | 第61-67页 |
| §4.3 C+Si和C+Mg共注GaN的研究 | 第67-74页 |
| 一 离子共注GaN黄光发射的研究 | 第71-72页 |
| 二 离子共注GaN红光(RL)发射的研究 | 第72-74页 |
| §4.4 论文总结 | 第74-76页 |
| §4.5 未来工作展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-86页 |
| 博士期间发表的文章 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87页 |