ZnO紫外光敏电阻制备及电子能带分析
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| CONTENT | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| ·半导体陶瓷 | 第11页 |
| ·光电传感器 | 第11-12页 |
| ·ZnO的物理与化学性质 | 第12-13页 |
| ·紫外探测及其研究背景 | 第13-23页 |
| ·紫外探测及其应用 | 第13-15页 |
| ·ZnO紫外探测的研究背景 | 第15-20页 |
| ·ZnO基紫外探测器的关键技术 | 第20-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 第二章 ZnO纳米薄膜的制备及其测 | 第24-33页 |
| ·试验所用仪器试剂 | 第24页 |
| ·Sol-Gel旋涂法制备ZnO薄膜 | 第24-28页 |
| ·测试结果及表征分析 | 第28-31页 |
| ·小结 | 第31-33页 |
| 第三章 正交试验优化 | 第33-43页 |
| ·正交试验设计方法简介 | 第33页 |
| ·正交试验优化设计 | 第33-34页 |
| ·结果和分析 | 第34-39页 |
| ·优化前后性能对比 | 第39页 |
| ·表面光电导与稳定性 | 第39-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第四章 反应磁控溅射制备ZnO薄膜 | 第43-48页 |
| ·磁控溅射方法 | 第43页 |
| ·反应磁控溅射制备ZnO | 第43页 |
| ·测试结果与分析 | 第43-46页 |
| ·样品的I-V曲线 | 第43-44页 |
| ·样品的紫外光响应 | 第44-46页 |
| ·ZnO靶材的制作 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第五章 敏感机理分析 | 第48-53页 |
| ·光电导的电流增益及渡越时间 | 第48-49页 |
| ·附加光电导与相对光电导 | 第49-50页 |
| ·定态光电导及弛豫过程 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第六章 ZnO能带结构的计算分析 | 第53-60页 |
| ·Materials studio简介 | 第53-54页 |
| ·点缺陷对ZnO能带结构的影响 | 第54-59页 |
| ·模型构建与计算 | 第54-56页 |
| ·计算结果及讨论 | 第56-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第七章 结论及对后续工作的展望 | 第60-62页 |
| ·主要结论 | 第60页 |
| ·对后续工作的展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
