有机静电感应晶体管工作特性的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-15页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第10-11页 |
| ·相关领域的研究概况 | 第11-12页 |
| ·有机薄膜晶体管发展趋势 | 第11-12页 |
| ·静电感应晶体管的发展 | 第12页 |
| ·待深入研究的问题 | 第12-13页 |
| ·课题的来源和主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第2章 晶体管基础理论 | 第15-31页 |
| ·晶体管材料简介 | 第15-19页 |
| ·半导体材料 | 第15-16页 |
| ·有机半导体材料 | 第16-19页 |
| ·金属－半导体接触 | 第19-25页 |
| ·肖特基势垒的形成 | 第19-22页 |
| ·欧姆接触 | 第22-23页 |
| ·肖特基接触的整流理论 | 第23-25页 |
| ·静电感应晶体管 | 第25-30页 |
| ·静电感应器件原理 | 第26-28页 |
| ·静电感应晶体管的结构 | 第28-29页 |
| ·静电感应晶体管的基本工作原理 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 有机静电感应晶体管解析 | 第31-40页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·有机静电感应晶体管的制作 | 第31-32页 |
| ·有限元法及其Matlab 实现 | 第32-34页 |
| ·有机静电感应晶体管的物理模型 | 第34-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 OSIT 各参数对沟道电势的影响 | 第40-52页 |
| ·结构参数对OSIT 沟道电势的影响 | 第40-47页 |
| ·栅极长度对沟道电势的影响 | 第40-42页 |
| ·栅源距离对沟道电势的影响 | 第42-43页 |
| ·沟道宽度对沟道电势的影响 | 第43-45页 |
| ·沟道长度对沟道电势的影响 | 第45-47页 |
| ·偏压参数对OSIT 沟道电势的影响 | 第47-50页 |
| ·栅压改变对沟道电势的影响 | 第47-49页 |
| ·漏压改变对沟道电势的影响 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第5章 OSIT 的静态及I-V 关系分析 | 第52-62页 |
| ·OSIT 各静态参数测定 | 第52-55页 |
| ·I-V 关系 | 第55-61页 |
| ·OSIT 的电流-电压关系方程 | 第56-58页 |
| ·OSIT 偏压参数对I-V 特性的影响 | 第58-59页 |
| ·OSIT 结构参数对I-V 特性的影响 | 第59-60页 |
| ·栅极电流和源-漏间电流的关系 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
