| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-15页 |
| ·引言 | 第6页 |
| ·新型不挥发存储器原理介绍 | 第6-12页 |
| ·MRAM | 第6-7页 |
| ·FeRAM | 第7-8页 |
| ·PCRAM | 第8-10页 |
| ·ReRAM | 第10-12页 |
| ·新型不挥发存储器的性能对比 | 第12-13页 |
| ·选题的动机与工作概述 | 第13-14页 |
| ·论文结构组织安排 | 第14-15页 |
| 第二章 相交存储器及其电加工技术研究 | 第15-36页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5(GST)材料及其转换机理 | 第15-20页 |
| ·晶态硫系化合物GST的晶体结构 | 第15-17页 |
| ·晶态硫系化合物GST的能带结构 | 第17页 |
| ·非晶态硫系化合物GST的结构性质 | 第17-18页 |
| ·非晶态硫系化合物GST的能带结构 | 第18-19页 |
| ·硫系化合物GST的相转换过程 | 第19-20页 |
| ·相变存储单元的结构 | 第20-24页 |
| ·传统型结构 | 第21-22页 |
| ·边沿接触式2D结构 | 第22页 |
| ·μ沟槽结构 | 第22-23页 |
| ·环状接触结构 | 第23-24页 |
| ·3D结构 | 第24页 |
| ·相变存储器基于电加工技术的3D结构方案 | 第24-28页 |
| ·基于电加工技术的相变存储器 | 第28-35页 |
| ·电介质击穿 | 第28-31页 |
| ·实验制作方案 | 第31-33页 |
| ·存储器单元特性 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第三章 基于Cux0的电阻存储器及其工艺集成方案 | 第36-61页 |
| ·Cux0电阻存储器机理研究 | 第36-46页 |
| ·Cux0电阻存储器基本结构及其特性 | 第36-39页 |
| ·Cux0电阻存储器器什单元结构及其制备方法 | 第39-40页 |
| ·器件性能及其存储机理分析 | 第40-46页 |
| ·Cux0电阻存储器高密度制造工艺方案 | 第46-59页 |
| ·先进铜互迮技术介绍 | 第47页 |
| ·Cux0电阻存储器制备与铜互连工艺集成方案 | 第47-59页 |
| ·小结 | 第59-61页 |
| 第四章 阻性存储器高密度存储应用的选通管技术 | 第61-82页 |
| ·阻性存储器的选通管技术现状 | 第61-66页 |
| ·0D1R | 第61-62页 |
| ·1D1R | 第62页 |
| ·1T1R | 第62-63页 |
| ·2T2R | 第63页 |
| ·1TxR——选通管复用技术 | 第63-66页 |
| ·1TxDxR——1TxR选通管复用技术的改进 | 第66-70页 |
| ·相变存储材料异质结二极管 | 第70-76页 |
| ·相变存储材料异质结二极管结构 | 第71页 |
| ·相变存储材料异质结二极管工艺制备 | 第71-72页 |
| ·异质结二极管特性 | 第72-74页 |
| ·电编程特性下的Si_2Sb_2Te_5—Si异质结二极管特性 | 第74-76页 |
| ·基于相变材料异质结二极管的选通应用 | 第76-78页 |
| ·1TxDxR | 第76页 |
| ·1D1R | 第76-78页 |
| ·基于金属氧化物异质结二极管的选通应用 | 第78-81页 |
| ·1D1R | 第78-80页 |
| ·1TxDxR | 第80-81页 |
| ·小结 | 第81-82页 |
| 第五章 总结与展望 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 硕士研究生期间论文发表情况 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |