| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·磁记录技术及材料的发展 | 第9-15页 |
| ·磁记录技术的发展 | 第9-12页 |
| ·磁记录材料的发展 | 第12-15页 |
| ·钴铁氧体薄膜的应用与研究进展 | 第15-19页 |
| ·钴铁氧体及其研究应用 | 第15页 |
| ·钴铁氧体薄膜的研究进展 | 第15-19页 |
| ·脉冲激光沉积法(Pulse Laser Deposition) | 第16-18页 |
| ·磁控溅射法(Magnetron Sputtering) | 第18-19页 |
| ·本论文的研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 CoFe_2O_4薄膜的制备、表征和测试 | 第21-29页 |
| ·实验方法及过程 | 第21页 |
| ·CoFe_2O_4薄膜的制备 | 第21-25页 |
| ·靶材的制备 | 第21-22页 |
| ·基片的选择与清洗 | 第22-23页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第23-25页 |
| ·CoFe_2O_4薄膜的分析和测试 | 第25-29页 |
| ·薄膜的相结构分析 | 第25-26页 |
| ·薄膜的微观形貌分析 | 第26-27页 |
| ·薄膜的微观组分分析 | 第27页 |
| ·薄膜的磁性能测试 | 第27-29页 |
| 第三章 CoFe_2O_4/Si(100)薄膜的微观结构和磁性能 | 第29-42页 |
| ·薄膜制备 | 第29页 |
| ·CoFe_2O_4/Si(100)薄膜的微观结构与形貌分析 | 第29-34页 |
| ·CoFe_2O_4/Si(100)薄膜的微观结构 | 第29-32页 |
| ·CoFe_2O_4/Si(100)薄膜的形貌 | 第32-34页 |
| ·CoFe_2O_4/Si(100)薄膜的磁性能 | 第34-39页 |
| ·退火温度对薄膜居里温度的影响 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 CoFe_2O_4/Fe_3O_4/Si(100)薄膜的微观结构和磁性能 | 第42-55页 |
| ·Fe_3O_4缓冲层和CoFe_2O_4薄膜的制备 | 第42页 |
| ·Fe_3O_4缓冲层的微观结构 | 第42-43页 |
| ·缓冲层厚度和基片温度对薄膜性能影响 | 第43-45页 |
| ·CoFe_2O_4/Fe_3O_4/Si(100)薄膜形貌和微观结构表征 | 第45-49页 |
| ·CoFe_2O_4/Fe_3O_4/Si(100)薄膜的微观结构 | 第45-48页 |
| ·CoFe_2O_4/Fe_3O_4/Si(100)薄膜的形貌分析 | 第48-49页 |
| ·CoFe_2O_4/Fe_3O_4/Si(100)薄膜的磁性能 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 CoFe_2O_4/TbFeCo/Si(100)薄膜的微观结构和磁性能 | 第55-66页 |
| ·TbFeCo缓冲层和CoFe_2O_4薄膜的制备 | 第55页 |
| ·CoFe_2O_4/TbFeCo/Si(100)薄膜的微观结构和形貌分析 | 第55-59页 |
| ·CoFe_2O_4/TbFeCo/Si(100)薄膜的微观结构 | 第55-58页 |
| ·CoFe_2O_4/TbFeCo/Si(100)薄膜的形貌分析 | 第58-59页 |
| ·CoFe_2O_4/TbFeCo/Si(100)薄膜的磁性能 | 第59-63页 |
| ·退火温度对薄膜居里温度的影响 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 结论 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第73页 |
