VUV电离离子迁移谱技术在VOCs测量中的应用
| 摘 要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-30页 |
| 第一节 基本原理和概念 | 第9-14页 |
| ·离子迁移谱仪的研究背景 | 第9-10页 |
| ·离子迁移谱仪的基本原理 | 第10-14页 |
| ·离子迁移率 | 第11-13页 |
| ·离子迁移谱的分辨率的概念 | 第13-14页 |
| 第二节 IMS 的仪器装置 | 第14-20页 |
| ·进样部分 | 第15-16页 |
| ·离子源 | 第16-18页 |
| ·离子门 | 第18-19页 |
| ·迁移管 | 第19页 |
| ·检测装置 | 第19-20页 |
| 第三节 IMS 的应用及现状 | 第20-26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 第二章 IMS 的设计 | 第30-76页 |
| 第一节 前言 | 第30-35页 |
| ·实验装置及条件 | 第30-33页 |
| ·谱图分辨率的决定因素 | 第33-35页 |
| 第二节 离子源 | 第35-43页 |
| ·真空紫外灯 | 第36-38页 |
| ·真空紫外灯的结构 | 第36页 |
| ·真空紫外灯的几何尺寸和性能参数 | 第36-38页 |
| ·VUV－灯的电离机理 | 第38-40页 |
| ·真空紫外灯的电离机理 | 第38-40页 |
| ·VUV－灯作离子源的设计 | 第40-43页 |
| 第三节 离子门 | 第43-51页 |
| ·离子门的结构和原理 | 第43-44页 |
| ·控制离子门开启的脉冲 | 第44-45页 |
| ·脉冲宽度对谱图分辨率的影响 | 第45-46页 |
| ·脉冲宽度对仪器灵敏度的影响 | 第46-47页 |
| ·离子门处轴向电场强度对仪器灵敏度的影响 | 第47-48页 |
| ·离子门上相邻金属丝间电压差对离子迁移谱的影响 | 第48-50页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| 第四节 迁移管 | 第51-60页 |
| ·迁移管的设计 | 第51-55页 |
| ·迁移管的理论基础 | 第51-54页 |
| ·迁移管的结构 | 第54-55页 |
| ·迁移管电场在离子迁移谱仪中的作用 | 第55-60页 |
| ·总电压变化对仪器灵敏度的影响 | 第55-57页 |
| ·总电压对谱图分辨率的影响 | 第57-59页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| 第五节 检测装置 | 第60-66页 |
| ·法拉第接收盘 | 第60-66页 |
| ·法拉第接收盘前栏栅 | 第60-61页 |
| ·栏栅对地电压的数值对于离子迁移谱的影响 | 第61-62页 |
| ·法拉第接收盘面积的影响 | 第62-65页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| 第六节 影响离子迁移谱的其他因素 | 第66-69页 |
| ·气体种类的影响 | 第66-67页 |
| ·记忆效应的影响 | 第67-68页 |
| ·尾吹气体纯度的影响 | 第68-69页 |
| 第七节 自制 IMS 的性能 | 第69-72页 |
| ·重复性 | 第69-70页 |
| ·分辨率 | 第70-72页 |
| 第八节 展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第三章 非对称场离子迁移谱 | 第76-94页 |
| ·基本原理 | 第76-77页 |
| ·FAIMS 的结构与分离原理 | 第77-89页 |
| ·平行板结构的 FAIMS | 第78-81页 |
| ·同轴结构的 FAIMS | 第81-89页 |
| ·FAIMS 的应用 | 第89-90页 |
| ·FAIMS 与 IMS 的区别 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-94页 |
| 第四章 总结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第94-95页 |
| 作者简介及发表文章 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96页 |
