| 引言 | 第1-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 文献综述 | 第12-32页 |
| 1．1 铁电材料概述 | 第12-15页 |
| 1．1．1 铁电材料的发展历史 | 第12-13页 |
| 1．1．2 钙钛矿相铁电材料结构及性能 | 第13-15页 |
| 1．2 铁电材料的电压非线性特性的理论研究 | 第15-21页 |
| 1．2．1 电介质的极化机理 | 第15-18页 |
| 1．2．2 铁电非线性及其影响因素 | 第18-19页 |
| 1．2．3 Devonshire唯象理论 | 第19-20页 |
| 1．2．4 STO单晶的软模理论 | 第20-21页 |
| 1．3 铁电微波可调材料的应用背景 | 第21-24页 |
| 1．4 对Ba_xSr_(1-x)TiO3体系介电性能研究进展 | 第24-28页 |
| 1．4．1 掺杂 | 第24-26页 |
| 1．4．2 以BST为基的两相或者多相复合薄膜 | 第26页 |
| 1．4．3 新的电介质结构及改善薄膜内部的应力环境 | 第26-28页 |
| 1．5 关于PST薄膜的研究 | 第28-30页 |
| 1．5．1 钙钛矿单相PST薄膜在微波可调领域的应用研究 | 第28-29页 |
| 1．5．2 PST／Bi_2Ti_2O_7复相薄膜在新型MOS器件中的应用潜力 | 第29-30页 |
| 1．6 铁电薄膜的制备工艺 | 第30页 |
| 1．7 本课题研究的目的和意义 | 第30-32页 |
| 第二章 实验 | 第32-39页 |
| 2．1 实验原料与仪器 | 第32-33页 |
| 2．1．1 实验原料 | 第32-33页 |
| 2．1．2 实验设备及器材 | 第33页 |
| 2．1．3 测试仪器 | 第33页 |
| 2．2 薄膜样品的制备 | 第33-36页 |
| 2．2．1 基板的清洗工艺 | 第33-34页 |
| 2．2．2 溶胶先驱体的制备 | 第34-35页 |
| 2．2．3 薄膜的制备 | 第35-36页 |
| 2．3 薄膜的结构与性能测试 | 第36-39页 |
| 2．3．1 XRD结构测试 | 第36-37页 |
| 2．3．2 SEM形貌测量 | 第37页 |
| 2．3．3 介电性能测量 | 第37-39页 |
| 第三章 Bi掺杂量对(Pb_(0．4)，Sro_(0．6))_(1-3x)／2Bi_xTiO_3钙钛矿相薄膜结构、形成与介电性能的影响研究 | 第39-50页 |
| 3．1 Bi掺杂PST钙钛矿相薄膜的结构与形成 | 第40-42页 |
| 3．2 Bi掺杂钙钛矿相PST薄膜介电性能及可调性能 | 第42-48页 |
| 3．3 本章小节 | 第48-50页 |
| 第四章 Pb含量对(Pb_xSr_(1-x)_(0．85)Bi_(0．1)TiO_3薄膜结构、形成及介电性能的影响研究 | 第50-59页 |
| 4．1 (Pb_xSr_(1-x))_(0．85)Bi_(0．1)TiO_3薄膜结构与形成 | 第50-56页 |
| 4．1．1 Pb含量对PST钙钛矿相薄膜的形成及介电性能的影响 | 第50-53页 |
| 4．1．2 热处理工艺对(Pb_(0．34)Sr_(0．51))Bi_(0．1)TiO_3薄膜结构、形成的影响 | 第53-56页 |
| 4．2 (Pb_xSr(1-x))_(0．85)Bi_(0．1)TiO_3薄膜的介电性能 | 第56-57页 |
| 4．3 本章小节 | 第57-59页 |
| 第五章 PST／Bi_2Ti_2O_7复相薄膜的制备、形成及介电性能的研究 | 第59-72页 |
| 5．1 PST／Bi_2Ti_2O_7复相薄膜晶相组成及表面形貌 | 第59-64页 |
| 5．2 PST／Bi_2Ti_2O_7原位形成复相薄膜的介电性能 | 第64-70页 |
| 5．2．1 Bi_2Ti_2O_7焦绿石单相薄膜的制备 | 第64-65页 |
| 5．2．2 PST／Bi_2T_2O_7原位形成复相薄膜的介电性能 | 第65-70页 |
| 5．3 本章小节 | 第70-72页 |
| 第六章 总结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
