| 第1章 引言 | 第1-12页 |
| ·课题目的与意义 | 第7-8页 |
| ·器件模拟的物理基础概述 | 第8-10页 |
| ·本文的主要工作及论文结构安排 | 第10-12页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-11页 |
| ·论文结构安排 | 第11-12页 |
| 第2章 HBT的器件结构 | 第12-24页 |
| ·异质结双极晶体管(HBT)的结构原理 | 第12-16页 |
| ·缓变异质结 | 第14-15页 |
| ·突变异质结 | 第15-16页 |
| ·HBT 器件的必要物理模型 | 第16-21页 |
| ·复合模型 | 第17-18页 |
| ·迁移率模型 | 第18-19页 |
| ·热阻效应 | 第19-20页 |
| ·应变效应 | 第20-21页 |
| ·HBT 的特性分析 | 第21-23页 |
| ·速度过冲现象 | 第21-22页 |
| ·弹道效应 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 漂移扩散模型和流体动力学模型 | 第24-31页 |
| ·漂移扩散模型 | 第24-25页 |
| ·流体动力学模型 | 第25-30页 |
| ·本文所采用的全流体动力学模型 | 第25-27页 |
| ·漂移扩散模型(DD)与流体动力学模型(HD)的区别 | 第27-28页 |
| ·DD 模型和HD 模型中的其他物理模型 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第4章 半导体器件模拟数值方法 | 第31-49页 |
| ·网格的划分 | 第31-32页 |
| ·半导体基本方程的离散化 | 第32-37页 |
| ·泊松方程的离散化 | 第33-34页 |
| ·连续性方程的离散化 | 第34-36页 |
| ·电子能量平衡方程的离散化 | 第36-37页 |
| ·迭代算法整体流程 | 第37-39页 |
| ·边界条件 | 第39-41页 |
| ·电势的边界条件 | 第39-40页 |
| ·载流子浓度的边界条件 | 第40-41页 |
| ·载流子温度的边界条件 | 第41页 |
| ·初值的选取 | 第41-43页 |
| ·异质结结构的界面处理 | 第43-47页 |
| ·泊松方程的界面处理 | 第43-44页 |
| ·空穴连续性方程的界面处理 | 第44-45页 |
| ·电子连续性方程的界面处理 | 第45-47页 |
| ·快速收敛算法 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 半导体器件模拟的结果与验证 | 第49-61页 |
| ·同质结二极管 | 第49-52页 |
| ·异质结二极管 | 第52-56页 |
| ·InP/InGaAs HBT | 第56-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第6章 总结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
| 声明 | 第66-67页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第67页 |