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纳米磁性材料磁光和磁电阻特性的数值计算

内容提要第1-3页
Abstract第3-5页
目录第5-8页
第一章 绪论第8-20页
 §1.1 磁光科尔效应第8-11页
  §1.1.1 引言第8-9页
  §1.1.2 磁光科尔效应基本知识第9-10页
  §1.1.3 磁光科尔效应的测量第10-11页
 §1.2 磁电阻效应第11-15页
  §1.2.1 引言第11-12页
  §1.2.2 颗粒膜的巨磁电阻效应第12-14页
  §1.2.3 隧道磁电阻效应第14-15页
 §1.3 本论文的研究内容第15-16页
 参考文献第16-20页
第二章 数值计算方法第20-29页
 §2.1 4×4矩阵法第20-25页
 §2.2 蒙特卡罗方法第25-27页
 参考文献第27-29页
第三章 TbFeCoPr多层膜极向磁光科尔谱的矩阵法模拟第29-38页
 §3.1 模型第29-31页
 §3.2 界面层结构对(Tb_(23)Fe_(72.5)Co_(4.5))_(100-x)Pr_x多层膜磁光科尔效应的影响第31-32页
 §3.3 不同Pr含量的(Tb_(23)Fe_(72.5)Co_(4.5))_(100-x)Pr_x和(Tb_(27)Fe_(65)Co_8)_(100-x)Pr_x多层膜的磁光科尔谱随磁性层厚度的变化关系第32-34页
 §3.4 不同Pr含量的(Tb_(23)Fe_(72.5)Co_(4.5))_(100-x)Pr_x和(Tb_(27)Fe_(65)Co_8)_(100-x)Pr_x多层膜的磁光科尔谱随入射角度的变化关系第34-36页
 §3.5 结论第36页
 参考文献第36-38页
第四章 Kerr磁滞回线和VSM磁滞回线的比较第38-45页
 §4.1 引言第38页
 §4.2 理论和模型第38-40页
 §4.3 模拟结果和讨论第40-43页
  §4.3.1 Ni_XSiO_(2(1-X))颗粒膜在X取不同值时模拟的的磁光科尔回线第40页
  §4.3.2 模拟的磁光科尔回线和实验结果的比较第40-41页
  §4.3.3 磁光科尔回线和VSM磁滞回线的比较第41-43页
 §4.4 结论第43页
 参考文献第43-45页
第五章 Co_xAg_(1-x)颗粒膜的磁光科尔效应和巨磁电阻的Monte Carlo模拟第45-53页
 §5.1 引言第45页
 §5.2 理论和模型第45-47页
 §5.3 Co_xAg_(1-x)颗粒膜的磁光科尔效应第47-48页
 §5.4 Co_xAg_(1-x)颗粒膜的GMR效应第48-51页
  §5.4.1 各向异性能常数和偶极相互作用常数对颗粒膜GMR效应的影响第48-49页
  §5.4.2 Co_xAg_(1-x)颗粒膜GMR效应中K_1的取值第49-50页
  §5.4.3 Co_xAg_(1-x)颗粒膜GMR的模拟值和实验值的比较第50-51页
 §5.5 结论第51页
 参考文献第51-53页
第六章 交换相互作用和偶极相互作用对纳米颗粒点阵系统磁电阻的影响第53-63页
 §6.1 理论和模型第53-55页
  §6.1.1 纳米颗粒点阵模型第53-54页
  §6.1.2 磁电阻的无规网格模型第54-55页
 §6.2 模拟结果和讨论第55-61页
  §6.2.1 偶极相互作用对系统TMR效应的影响第56-57页
  §6.2.2 偶极相互作用能和交换相互作用能共同作用下的系统TMR效应第57-61页
 §6.3 结论第61页
 参考文献第61-63页
第七章 结束语第63-64页
在学期间发表的论文第64-65页
致谢第65-66页
中文摘要第66-67页

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