| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-17页 |
| ·太赫兹技术的兴起 | 第7-10页 |
| ·太赫兹波简介 | 第7页 |
| ·太赫兹波振荡源 | 第7-8页 |
| ·太赫兹波的物理性质 | 第8-9页 |
| ·太赫兹技术的应用 | 第9-10页 |
| ·量子级联激光器 | 第10-16页 |
| ·量子级联激光器 | 第11-13页 |
| ·太赫兹量子级联激光器 | 第13-16页 |
| ·小结与展望 | 第16-17页 |
| 第二章 量子级联激光器电子能级 | 第17-35页 |
| ·半导体能带理论模型 | 第17-23页 |
| ·k·p微扰方法 | 第17-18页 |
| ·化合物半导体的有效质量方程 | 第18-19页 |
| ·GaAs-Al_xGa_(1-x)As超晶格的子能带 | 第19-21页 |
| ·超晶格导带电子能带的简单模型 | 第21-23页 |
| ·量子阱超晶格中能带的计算方法 | 第23-30页 |
| ·抛物线性进似下的有限差分法 | 第23-25页 |
| ·考虑能带非抛物线性的有限差分法 | 第25-27页 |
| ·联立泊松方程的自洽计算方法 | 第27-30页 |
| ·太赫兹量子级联激光器有源区能带设计 | 第30-33页 |
| ·小结 | 第33-35页 |
| 第三章 量子级联激光器声子辅助下的电子跃迁 | 第35-51页 |
| ·声子的连续介质模型 | 第35-36页 |
| ·受限制声子辅助下子带间电子跃迁 | 第36-39页 |
| ·量子阱中受限制声子模式 | 第36页 |
| ·受限声子与二维电子气的散射几率 | 第36-39页 |
| ·界面声子辅助下子带间电子跃迁 | 第39-45页 |
| ·界面声子模式的色散关系 | 第39-41页 |
| ·界面声子模式的归一化 | 第41-43页 |
| ·界面声子与二维电子气的散射几率 | 第43-45页 |
| ·太赫兹量子级联激光器的声子工程 | 第45-49页 |
| ·受限制声子辅助下的电子跃迁 | 第45-46页 |
| ·界面声子辅助下的电子跃迁 | 第46-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 第四章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 研究成果及发表论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 作者简历 | 第57-58页 |
| 学位论文独创性声明 | 第58页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第58页 |