压阻式微压力传感器的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| ·课题背景与意义 | 第9-11页 |
| ·微传感器的现状与发展趋势 | 第11-13页 |
| ·国内外研究的现状 | 第11页 |
| ·微传感器加工技术介绍 | 第11-12页 |
| ·微传感器发展趋势 | 第12-13页 |
| ·课题来源及论文主要内容 | 第13-14页 |
| 2 压阻式微压力传感器的设计计算 | 第14-27页 |
| ·压阻效应介绍 | 第14-16页 |
| ·微压力传感器的工作原理 | 第16-18页 |
| ·压力微传感器的结构设计 | 第18-22页 |
| ·硅杯材料的选择 | 第18页 |
| ·硅杯的结构设计 | 第18-19页 |
| ·C型结构的应力计算 | 第19-20页 |
| ·E型岛膜结构的应力计算 | 第20-22页 |
| ·E型结构尺寸的计算 | 第22-23页 |
| ·硅膜片厚度 | 第22页 |
| ·硅杯掩膜版宽度 | 第22-23页 |
| ·E型硅杯岛区的尺寸 | 第23页 |
| ·压敏电阻形状设计计算 | 第23-26页 |
| ·力敏电阻的阻值的选择 | 第23-24页 |
| ·方块电阻的大小的确定 | 第24页 |
| ·压敏电阻的条宽的选择 | 第24-25页 |
| ·压敏电阻的长度的选择 | 第25页 |
| ·压敏电阻位置的放置 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 3. C型结构与压敏电阻的ANSYS分析 | 第27-36页 |
| ·C型结构的ANSYS仿真过程 | 第27-29页 |
| ·参数改变后的仿真结果 | 第29-35页 |
| ·改变电阻离膜边缘的距离d | 第29-30页 |
| ·改变薄膜的厚度h | 第30-31页 |
| ·改变薄膜的边长L | 第31-33页 |
| ·改变电阻宽度b | 第33-34页 |
| ·改变压敏电阻折数 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 4 E型结构与压敏电阻的ANSYS分析 | 第36-47页 |
| ·E型结构的ANSYS仿真过程 | 第36-38页 |
| ·参数改变后的仿真结果 | 第38-45页 |
| ·改变电阻离膜边缘距离d | 第38-39页 |
| ·改变薄膜厚度h | 第39-40页 |
| ·改变薄膜的边长L | 第40-41页 |
| ·改变电阻长宽a,b | 第41-42页 |
| ·改变E薄膜结构中间岛区厚度h3 | 第42-43页 |
| ·改变电阻的折数 | 第43-45页 |
| ·C型最佳结构与E型最佳结构的比较 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 5 C型、E型结构ANSYS动力学仿真 | 第47-59页 |
| ·两种结构的模态分析 | 第47-51页 |
| ·C型、E型结构模态分析共振频率 | 第47-48页 |
| ·C型、E型结构模态分析共振振幅 | 第48-51页 |
| ·C型、E型结构的谐响应分析 | 第51-56页 |
| ·C型结构ANSYS谐响应分析 | 第51-53页 |
| ·E型结构ANSYS谐响应分析 | 第53-56页 |
| ·C型、E型结构的瞬态响应分析 | 第56-58页 |
| ·两种结构的ANSYS仿真步骤 | 第56-57页 |
| ·C型、E型结构仿真结果 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 6. 掩膜版的工艺流程分析及制作 | 第59-70页 |
| ·工艺流程的设计 | 第59-60页 |
| ·版图设计的过程 | 第60-61页 |
| ·掩膜版图形的设计 | 第61-66页 |
| ·版图布局的设计 | 第61页 |
| ·对准标记尺寸的设计 | 第61-62页 |
| ·对准光刻原理 | 第62页 |
| ·掩膜版的图形 | 第62-66页 |
| ·实验中几步关键工艺的探索 | 第66-70页 |
| ·氧化膜制备技术 | 第66-67页 |
| ·光刻工艺 | 第67-68页 |
| ·扩散工艺 | 第68页 |
| ·溅射工艺 | 第68页 |
| ·干法刻蚀与湿法刻蚀技术 | 第68-70页 |
| 结论与展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 在校取得的成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
