| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract(英文摘要) | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-30页 |
| § 1.1 碳纳米管的研究进展 | 第8-17页 |
| § 1.2 关于碳纳米管电子结构和输运性质的一些理论模型和方法 | 第17-27页 |
| § 1.2.1 计算单壁碳纳米管能带结构的一些模型和方法 | 第17-21页 |
| § 1.2.2 计算单壁碳纳米管输运性质的一些模型和方法 | 第21-25页 |
| § 1.2.3 π 电子紧束缚模型下的实空间和 k 空间的格林函数方法 | 第25-27页 |
| § 1.3 本论文的目标和概貌 | 第27-30页 |
| 第二章 碳纳米管中缺陷的对称性效应 | 第30-52页 |
| § 2.1 研究背景 | 第30-32页 |
| § 2.2 模型与计算方法 | 第32-40页 |
| § 2.2.1 π电子紧束缚模型下的哈密顿量 | 第32-34页 |
| § 2.2.2 计算电导和态密度 | 第34-40页 |
| § 2.3 单个缺陷的对称性效应 | 第40-43页 |
| § 2.4 两个缺陷的对称性效应 | 第43-50页 |
| § 2.5 小结 | 第50-52页 |
| 第三章 非磁性杂质引起的量子干涉效应 | 第52-69页 |
| § 3.1 研究背景 | 第52-55页 |
| § 3.2 模型与计算方法 | 第55-58页 |
| § 3.3 硼杂质诱发的量子干涉效应 | 第58-67页 |
| § 3.3.1 破坏镜面对称性的硼杂质 | 第60-64页 |
| § 3.3.2 保持镜面对称性的硼杂质 | 第64-67页 |
| § 3.4 小结 | 第67-69页 |
| 第四章 外电场对碳纳米管的电导和态密度的调制作用 | 第69-91页 |
| § 4.1 研究背景 | 第69-72页 |
| § 4.2 模型与计算方法 | 第72-76页 |
| § 4.3 外电场对理想碳纳米管的电导和态密度的调制作用 | 第76-82页 |
| § 4.4 外电场对含缺陷碳纳米管的电导和态密度的调制作用 | 第82-90页 |
| § 4.5 小结 | 第90-91页 |
| 第五章 结论 | 第91-94页 |
| 附录 π 电子紧束缚模型下的 k 空间格林函数方法 | 第94-99页 |
| 参考文献 | 第99-107页 |
| 致谢 | 第107页 |
| 声 明 | 第107-108页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的论文 | 第108页 |
