首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--特种结构材料论文

碳纳米管膜的制备及场发射特性研究

第一章 引言第1-22页
   ·显示器发展趋势第10-12页
   ·场致电子发射研究及其应用进展第12-15页
     ·金属微尖锥型研究及应用进展第12-13页
     ·硅尖锥型研究及其应用进展第13-14页
     ·金刚石薄膜型研究及其应用进展第14-15页
   ·碳纳米管薄膜场发射的研究及其应用进展第15-18页
   ·本工作主要研究内容第18-20页
 参考文献第20-22页
第二章 理论基础与实验方法第22-46页
   ·引言第22-23页
   ·碳纳米管的结构第23-25页
   ·场电子发射的理论基础第25-32页
     ·Fowler-Nordheim理论第25-28页
     ·碳纳米管场发射机制第28-30页
     ·影响非线性关系的几个因素第30-31页
     ·改善碳纳米管场发射性能的途径第31-32页
   ·用于场发射碳纳米管薄膜的制备第32-35页
     ·无序碳纳米管薄膜的制备第32-33页
     ·有序碳纳米管薄膜的制备第33-35页
   ·碳纳米管的生长机理研究第35-38页
     ·电弧中碳纳米管的生长机理模型第36页
     ·CVD方法制备碳纳米管的生长机理第36-38页
     ·激光蒸发法制备碳纳米管的生长机理第38页
   ·CVD法制备定向碳纳米管薄膜的取向机制第38-39页
     ·范德华相互作用力取向机制第38-39页
     ·微波等离子体诱导取向机制第39页
     ·取向生长碳纳米管与工艺参数的关系第39页
   ·碳纳米管薄膜的表征第39-43页
     ·碳纳米管薄膜的SEM表征第39-40页
     ·碳纳米管薄膜的TEM表征第40页
     ·碳纳米管薄膜的Raman光谱表征第40-41页
     ·碳纳米管薄膜的XRD光谱表征第41-43页
 参考文献第43-46页
第三章 刻线镍膜上沉积碳纳米管薄膜的场发射特性第46-70页
   ·引言第46页
   ·实验第46-56页
     ·催化剂膜的制备方法及原理第46-49页
       ·溅射法原理第47-48页
       ·影响膜层质量的因素第48页
       ·催化剂膜的制备第48-49页
     ·碳纳米管膜的制备方法及实验装置第49-50页
     ·微波等离子体CVD法沉积碳纳米管膜的机理第50-51页
     ·碳纳米管膜场发射性能的测定第51-56页
       ·碳纳米管薄膜场发射性能的主要指标第51-54页
       ·测量碳纳米管薄膜场发射性能的几种结构模型第54-56页
   ·结果与讨论第56-67页
     ·样品的相结构分析第56-64页
     ·碳纳米管膜的场发射性能第64-66页
     ·碳纳米管场发射特性探讨第66-67页
   ·本章小结第67-68页
 参考文献第68-70页
第四章 不锈钢衬底直接沉积碳纳米管薄膜的场发射特性第70-97页
   ·引言第70-71页
   ·不锈钢衬底上碳纳米管薄膜的制备及场发射特性第71-79页
     ·实验第71页
     ·结果与讨论第71-79页
   ·基底的预处理条件对碳纳米管薄膜场发射性能的影响第79-83页
     ·基底表面的预处理条件第79页
     ·结果与讨论第79-83页
   ·沉积工艺参数对碳纳米管薄膜场发射性能的影响第83-93页
     ·沉积条件第83-84页
     ·沉积工艺参数对碳纳米管质量的影响第84-89页
     ·制备工艺条件对碳纳米管场发射性能的影响第89-92页
     ·无序碳纳米管场发射机理探讨第92-93页
   ·本章小结第93-95页
 参考文献第95-97页
第五章 碳纳米管薄膜场发射器件的制备第97-109页
   ·引言第97-98页
   ·场致电子发射发光管的结构第98-99页
   ·发光管的性能参数第99-101页
   ·碳纳米管基场发射发光管研究进展第101-102页
   ·碳纳米管基三极发光管的工作原理第102页
   ·三极管结构器件的封装第102-105页
     ·三极管结构器件的设计第102-103页
     ·器件的封装第103-105页
   ·器件的性能测试第105-107页
     ·电流与电压特性第105-106页
     ·场发射电流密度与稳定性第106页
     ·亮度第106-107页
     ·电子透过率第107页
   ·本章结论第107-108页
 参考文献第108-109页
第六章 结论第109-111页
附录1: 攻读博士期间发表的论文及成果第111-112页
附录2: 致谢第112页

论文共112页,点击 下载论文
上一篇:基于计算机网络的高等教育评估系统
下一篇:香港会计师事务所在大陆发展前景研究