SOI上双极压控MOS场效应管的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 概述 | 第7-13页 |
| ·微电子器件现状 | 第7-9页 |
| ·BJMOSFET的提出及其特点 | 第9-10页 |
| ·研究方法 | 第10-11页 |
| ·BJMOSFET特性的计算机模拟 | 第11页 |
| ·体硅BJMOSFET的不足及解决 | 第11-13页 |
| 第二章 BJMOSFET的基本理论与特性 | 第13-23页 |
| ·BJMOSFET的基本结构与工作原理 | 第13-15页 |
| ·BJMOSFET的直流特性 | 第15-18页 |
| ·BJMOSFET的频率特性 | 第18-20页 |
| ·BJMOSFET的开关特性 | 第20-21页 |
| ·BJMOSFET的温度特性 | 第21-22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| 第三章 BJMOSFET特性的计算机模拟 | 第23-40页 |
| ·BJMOSFET的直流特性模拟 | 第23-26页 |
| ·BJMOSFET击穿电压和阻断能力的分析 | 第26-27页 |
| ·BJMOSFET的频率特性模拟 | 第27-31页 |
| ·BJMOSFET的开关特性模拟 | 第31-33页 |
| ·BJMOSFET的温度特性模拟 | 第33-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第四章 BJMOSFET设计 | 第40-51页 |
| ·结构设计 | 第40页 |
| ·工艺设计 | 第40-42页 |
| ·低压低功耗设计 | 第42-49页 |
| ·小结 | 第49-51页 |
| 第五章 绝缘衬底上硅技术 | 第51-59页 |
| ·SOI材料的制备方法 | 第52-56页 |
| ·SOI材料的应用领域 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第六章 SOI BJMOSFET | 第59-66页 |
| ·SOI BJMOSFET的结构与工艺流程 | 第59-61页 |
| ·BJMOSFET的优良特性 | 第61-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
