第一章 文献综述 | 第1-27页 |
1.1 引言 | 第8-9页 |
1.2 ZnO的性质 | 第9-18页 |
1.2.1 ZnO薄膜的晶体结构 | 第9-10页 |
1.2.2 ZnO薄膜的光电性质 | 第10-12页 |
1.2.3 ZnO的气敏、压敏性质 | 第12-13页 |
1.2.4 ZnO和GaN的优缺点比较 | 第13-14页 |
1.2.5 ZnO薄膜的掺杂 | 第14-18页 |
1.3 ZnO薄膜制备技术简介 | 第18-27页 |
1.3.1 喷雾热解(Spray pyrolysis) | 第18-19页 |
1.3.2 磁控溅射 | 第19-20页 |
1.3.3 溶胶凝胶(Sol—gel) | 第20-21页 |
1.3.4 离子束溅射和电子束蒸发 | 第21-22页 |
1.3.5 脉冲激光沉积(PLD) | 第22-23页 |
1.3.6 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第23-24页 |
1.3.7 分子束外延(MBE) | 第24-27页 |
第二章 雾化汽相沉积原理 | 第27-34页 |
2.1 雾化汽相沉积制备薄膜技术的原理 | 第27-28页 |
2.2 雾化汽相沉积ZnO薄膜的原料要求与工艺 | 第28-30页 |
2.2.1 溶质 | 第29页 |
2.2.2 溶剂 | 第29页 |
2.2.3 载气 | 第29-30页 |
2.2.4 雾化量 | 第30页 |
2.2.5 其它参数 | 第30页 |
2.3 雾化汽相沉积制备ZnO薄膜的反应机制 | 第30-31页 |
2.4 雾化汽相沉积ZnO薄膜的反应动力学 | 第31-34页 |
第三章 雾化汽相沉积制备ZnO薄膜 | 第34-37页 |
3.1 引言 | 第34页 |
3.2 实验设备 | 第34-35页 |
3.3 实验原料 | 第35页 |
3.4 实验主要步骤 | 第35-37页 |
第四章 热场对ZnO厚度均匀性的影响 | 第37-42页 |
4.1 热场对薄膜厚度均匀性影响的理论计算 | 第37-40页 |
4.2 热场对薄膜厚度均匀性影响的验证 | 第40-42页 |
第五章 雾化汽相沉积ZnO薄膜的性能测试 | 第42-55页 |
5.1 引言 | 第42-43页 |
5.2 ZnO薄膜的结晶状况 | 第43-48页 |
5.2.1 前驱体溶液浓度对ZnO薄膜结晶状况的影响 | 第43-44页 |
5.2.2 衬底温度对ZnO薄膜结晶状况的影响 | 第44-47页 |
5.2.3 衬底类型对ZnO薄膜结晶状况的影响 | 第47-48页 |
5.3 ZnO薄膜紫外—可见光的光吸收 | 第48-51页 |
5.3.1 衬底温度对ZnO薄膜UV-Vis光吸收的影响 | 第48-50页 |
5.3.2 前驱体溶液浓度对ZnO薄膜UV-Vis光吸收的影响 | 第50-51页 |
5.4 ZnO薄膜的电学性能 | 第51-53页 |
5.5 ZnO薄膜的表面形貌 | 第53-55页 |
5.5.1 扫描电镜(SEM) | 第53页 |
5.5.2 原子力显微镜(AFM) | 第53-55页 |
第六章 P型ZnO薄膜的制备 | 第55-59页 |
6.1 引言 | 第55-56页 |
6.2 P型ZnO薄膜的性能与表征 | 第56-59页 |
6.2.1 P型ZnO薄膜的晶体结构 | 第56-57页 |
6.2.2 P型ZnO薄膜的光学性能 | 第57-58页 |
6.2.3 P型ZnO薄膜的电学性能 | 第58-59页 |
第七章 ZnO薄膜的N-ZnO/p-Si异质结 | 第59-63页 |
7.1 引言 | 第59-60页 |
7.2 ZnO薄膜N-ZnO/p-Si异质结的制作 | 第60页 |
7.3 N-ZnO/p-Si异质结的电学性能 | 第60-63页 |
第八章 结论 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-71页 |
攻读硕士期间公开发表和已录用的学术论文 | 第71-72页 |
致谢 | 第72页 |