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雾化汽相沉积法制备ZnO薄膜及其性能研究

第一章 文献综述第1-27页
 1.1 引言第8-9页
 1.2 ZnO的性质第9-18页
  1.2.1 ZnO薄膜的晶体结构第9-10页
  1.2.2 ZnO薄膜的光电性质第10-12页
  1.2.3 ZnO的气敏、压敏性质第12-13页
  1.2.4 ZnO和GaN的优缺点比较第13-14页
  1.2.5 ZnO薄膜的掺杂第14-18页
 1.3 ZnO薄膜制备技术简介第18-27页
  1.3.1 喷雾热解(Spray pyrolysis)第18-19页
  1.3.2 磁控溅射第19-20页
  1.3.3 溶胶凝胶(Sol—gel)第20-21页
  1.3.4 离子束溅射和电子束蒸发第21-22页
  1.3.5 脉冲激光沉积(PLD)第22-23页
  1.3.6 金属有机化学气相沉积(MOCVD)第23-24页
  1.3.7 分子束外延(MBE)第24-27页
第二章 雾化汽相沉积原理第27-34页
 2.1 雾化汽相沉积制备薄膜技术的原理第27-28页
 2.2 雾化汽相沉积ZnO薄膜的原料要求与工艺第28-30页
  2.2.1 溶质第29页
  2.2.2 溶剂第29页
  2.2.3 载气第29-30页
  2.2.4 雾化量第30页
  2.2.5 其它参数第30页
 2.3 雾化汽相沉积制备ZnO薄膜的反应机制第30-31页
 2.4 雾化汽相沉积ZnO薄膜的反应动力学第31-34页
第三章 雾化汽相沉积制备ZnO薄膜第34-37页
 3.1 引言第34页
 3.2 实验设备第34-35页
 3.3 实验原料第35页
 3.4 实验主要步骤第35-37页
第四章 热场对ZnO厚度均匀性的影响第37-42页
 4.1 热场对薄膜厚度均匀性影响的理论计算第37-40页
 4.2 热场对薄膜厚度均匀性影响的验证第40-42页
第五章 雾化汽相沉积ZnO薄膜的性能测试第42-55页
 5.1 引言第42-43页
 5.2 ZnO薄膜的结晶状况第43-48页
  5.2.1 前驱体溶液浓度对ZnO薄膜结晶状况的影响第43-44页
  5.2.2 衬底温度对ZnO薄膜结晶状况的影响第44-47页
  5.2.3 衬底类型对ZnO薄膜结晶状况的影响第47-48页
 5.3 ZnO薄膜紫外—可见光的光吸收第48-51页
  5.3.1 衬底温度对ZnO薄膜UV-Vis光吸收的影响第48-50页
  5.3.2 前驱体溶液浓度对ZnO薄膜UV-Vis光吸收的影响第50-51页
 5.4 ZnO薄膜的电学性能第51-53页
 5.5 ZnO薄膜的表面形貌第53-55页
  5.5.1 扫描电镜(SEM)第53页
  5.5.2 原子力显微镜(AFM)第53-55页
第六章 P型ZnO薄膜的制备第55-59页
 6.1 引言第55-56页
 6.2 P型ZnO薄膜的性能与表征第56-59页
  6.2.1 P型ZnO薄膜的晶体结构第56-57页
  6.2.2 P型ZnO薄膜的光学性能第57-58页
  6.2.3 P型ZnO薄膜的电学性能第58-59页
第七章 ZnO薄膜的N-ZnO/p-Si异质结第59-63页
 7.1 引言第59-60页
 7.2 ZnO薄膜N-ZnO/p-Si异质结的制作第60页
 7.3 N-ZnO/p-Si异质结的电学性能第60-63页
第八章 结论第63-64页
参考文献第64-71页
攻读硕士期间公开发表和已录用的学术论文第71-72页
致谢第72页

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