非平衡反应磁控溅射迟滞效应的PID神经网络控制仿真研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-28页 |
| ·氮化铝薄膜 | 第8-14页 |
| ·AIN 的结构和性质 | 第8页 |
| ·AIN 薄膜的应用 | 第8-9页 |
| ·AIN 薄膜的制备方法 | 第9-11页 |
| ·AIN 薄膜的表征方法 | 第11-14页 |
| ·非平衡反应磁控溅射原理和装置 | 第14-19页 |
| ·非平衡反应磁控溅射的原理 | 第14-18页 |
| ·薄膜制备装置 | 第18-19页 |
| ·反应溅射迟滞效应 | 第19-22页 |
| ·反应溅射系统分析 | 第22-24页 |
| ·反应溅射控制监测方式 | 第24-28页 |
| 2 反应溅射系统的 PID 神经网络控制仿真 | 第28-36页 |
| ·溅射系统稳定性分析 | 第28-29页 |
| ·PIDNN 控制器 | 第29-31页 |
| ·结构和算法 | 第29-30页 |
| ·连接权重初值和学习步长选取原则 | 第30-31页 |
| ·PIDNN 控制仿真 | 第31-35页 |
| ·控制系统的稳定性和收敛性分析 | 第31-32页 |
| ·过渡模式下反应溅射PIDNN控制 | 第32-35页 |
| ·结论 | 第35-36页 |
| 3 反应磁控溅射系统的放电特性 | 第36-42页 |
| ·反应磁控溅射系统伏安特性 | 第36-37页 |
| ·非平衡磁场的影响 | 第37-39页 |
| ·迟滞效应现象与模拟 | 第39-40页 |
| ·结论 | 第40-42页 |
| 4 反应磁控溅射沉积氮化铝薄膜 | 第42-48页 |
| ·薄膜制备 | 第42-43页 |
| ·薄膜表征与讨论 | 第43-47页 |
| ·结论 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
