摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-9页 |
目录 | 第9-11页 |
附图索引 | 第11-14页 |
附表索引 | 第14-15页 |
第一章 绪论 | 第15-35页 |
·非晶态半导体材料的发展简史 | 第15-16页 |
·非晶态半导体的理论基础 | 第16-24页 |
·Ⅲ-Ⅴ族非晶态半导体材料的研究进展 | 第24-33页 |
·本论文的研究意义、目的及主要研究内容 | 第33-35页 |
第二章 磁控溅射法制备Ⅲ-Ⅴ族非晶薄膜及其表征 | 第35-51页 |
·溅射机理及溅射薄膜的生长机理 | 第35-38页 |
·影响薄膜生长、结构和性质的主要工艺参数 | 第38-41页 |
·非晶薄膜的表征方法 | 第41-50页 |
·本章小结 | 第50-51页 |
第三章 a-GaAs薄膜的制备以及结构和光电性质表征 | 第51-75页 |
·磁控溅射a-GaAs薄膜的制备工艺 | 第51-54页 |
·a-GaAs薄膜的结构表征及生长窗口 | 第54-57页 |
·工作气压和衬底温度对a-GaAs薄膜表面形貌的影响 | 第57-59页 |
·工作气压、衬底温度和溅射功率对GaAs薄膜组分的影响 | 第59-61页 |
·工作气压、溅射功率和衬底温度对光学带隙的影响 | 第61-66页 |
·a-GaAs薄膜的光学常数 | 第66-69页 |
·a-GaAs薄膜的电学性质和光敏特性 | 第69-71页 |
·a-GaAs薄膜的退火研究 | 第71-73页 |
·本章小结 | 第73-75页 |
第四章 a-GaAs:H薄膜的制备以及掺氢对结构和光电特性的影响 | 第75-87页 |
·磁控溅射a-GaAs:H薄膜的制备工艺 | 第75页 |
·a-GaAs:H薄膜的结构、镓氢砷氢键模式和表面形貌 | 第75-79页 |
·a-GaAs:H薄膜的光学性质 | 第79-80页 |
·a-GaAs:H薄膜的电学性质和光敏特性 | 第80-82页 |
·a-GaAs:H薄膜的热稳定性 | 第82-85页 |
·本章小结 | 第85-87页 |
第五章 a-InAs薄膜的制备以及结构和光电特性的研究 | 第87-109页 |
·磁控溅射a-InAs薄膜的制备工艺 | 第87-89页 |
·a-InAs薄膜的结构表征和生长窗口 | 第89-93页 |
·衬底温度、溅射功率和工作气压对InAs薄膜表面形貌的影响 | 第93-96页 |
·衬底温度、溅射功率和工作气压对InAs薄膜的组分影响 | 第96-98页 |
·工作气压对InAs薄膜光学性质的影响 | 第98-100页 |
·a-InAs薄膜的光学常数 | 第100-103页 |
·a-InAs薄膜的电学性质 | 第103-104页 |
·a-InAs薄膜的光敏特性 | 第104-105页 |
·a-InAs薄膜的掺氢研究 | 第105-106页 |
·a-InAs的退火研究 | 第106-107页 |
·本章小结 | 第107-109页 |
第六章 a-InGaAs薄膜的制备以及结构和光电特性研究 | 第109-121页 |
·a-InGaAs薄膜的制备工艺及其组分、结构表征 | 第109-113页 |
·利用径向分布函数分析a-InGaAs薄膜的微观结构 | 第113-114页 |
·InGaAs薄膜的光学带隙 | 第114-116页 |
·InGaAs薄膜的光学常数 | 第116-117页 |
·InGaAs薄膜的光敏特性 | 第117页 |
·a-InGaAs:H薄膜的制备以及掺氢对光电特性的影响 | 第117-119页 |
·本章小结 | 第119-121页 |
第七章 a-InSb薄膜的制备以及结构和光电特性的研究 | 第121-131页 |
·a-InSb薄膜的制备工艺 | 第121页 |
·a-InSb薄膜的结构表征和生长窗口 | 第121-123页 |
·衬底温度、溅射功率和工作气压对InSb薄膜组分的影响 | 第123-125页 |
·工作气压对InSb薄膜表面形貌的影响 | 第125页 |
·工作气压对InSb薄膜光学带隙的影响 | 第125-127页 |
·InSb薄膜的光学常数 | 第127-128页 |
·工作气压对a-InSb薄膜电学特性的影响 | 第128-129页 |
·a-InSb薄膜的光敏特性 | 第129-130页 |
·本章小结 | 第130-131页 |
总结 | 第131-133页 |
致谢 | 第133-135页 |
参考文献 | 第135-143页 |
攻读博士学位期间发表的论文和专利 | 第143-144页 |