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Ⅲ-Ⅴ族非晶态探测器材料研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
目录第9-11页
附图索引第11-14页
附表索引第14-15页
第一章 绪论第15-35页
   ·非晶态半导体材料的发展简史第15-16页
   ·非晶态半导体的理论基础第16-24页
   ·Ⅲ-Ⅴ族非晶态半导体材料的研究进展第24-33页
   ·本论文的研究意义、目的及主要研究内容第33-35页
第二章 磁控溅射法制备Ⅲ-Ⅴ族非晶薄膜及其表征第35-51页
   ·溅射机理及溅射薄膜的生长机理第35-38页
   ·影响薄膜生长、结构和性质的主要工艺参数第38-41页
   ·非晶薄膜的表征方法第41-50页
   ·本章小结第50-51页
第三章 a-GaAs薄膜的制备以及结构和光电性质表征第51-75页
   ·磁控溅射a-GaAs薄膜的制备工艺第51-54页
   ·a-GaAs薄膜的结构表征及生长窗口第54-57页
   ·工作气压和衬底温度对a-GaAs薄膜表面形貌的影响第57-59页
   ·工作气压、衬底温度和溅射功率对GaAs薄膜组分的影响第59-61页
   ·工作气压、溅射功率和衬底温度对光学带隙的影响第61-66页
   ·a-GaAs薄膜的光学常数第66-69页
   ·a-GaAs薄膜的电学性质和光敏特性第69-71页
   ·a-GaAs薄膜的退火研究第71-73页
   ·本章小结第73-75页
第四章 a-GaAs:H薄膜的制备以及掺氢对结构和光电特性的影响第75-87页
   ·磁控溅射a-GaAs:H薄膜的制备工艺第75页
   ·a-GaAs:H薄膜的结构、镓氢砷氢键模式和表面形貌第75-79页
   ·a-GaAs:H薄膜的光学性质第79-80页
   ·a-GaAs:H薄膜的电学性质和光敏特性第80-82页
   ·a-GaAs:H薄膜的热稳定性第82-85页
   ·本章小结第85-87页
第五章 a-InAs薄膜的制备以及结构和光电特性的研究第87-109页
   ·磁控溅射a-InAs薄膜的制备工艺第87-89页
   ·a-InAs薄膜的结构表征和生长窗口第89-93页
   ·衬底温度、溅射功率和工作气压对InAs薄膜表面形貌的影响第93-96页
   ·衬底温度、溅射功率和工作气压对InAs薄膜的组分影响第96-98页
   ·工作气压对InAs薄膜光学性质的影响第98-100页
   ·a-InAs薄膜的光学常数第100-103页
   ·a-InAs薄膜的电学性质第103-104页
   ·a-InAs薄膜的光敏特性第104-105页
   ·a-InAs薄膜的掺氢研究第105-106页
   ·a-InAs的退火研究第106-107页
   ·本章小结第107-109页
第六章 a-InGaAs薄膜的制备以及结构和光电特性研究第109-121页
   ·a-InGaAs薄膜的制备工艺及其组分、结构表征第109-113页
   ·利用径向分布函数分析a-InGaAs薄膜的微观结构第113-114页
   ·InGaAs薄膜的光学带隙第114-116页
   ·InGaAs薄膜的光学常数第116-117页
   ·InGaAs薄膜的光敏特性第117页
   ·a-InGaAs:H薄膜的制备以及掺氢对光电特性的影响第117-119页
   ·本章小结第119-121页
第七章 a-InSb薄膜的制备以及结构和光电特性的研究第121-131页
   ·a-InSb薄膜的制备工艺第121页
   ·a-InSb薄膜的结构表征和生长窗口第121-123页
   ·衬底温度、溅射功率和工作气压对InSb薄膜组分的影响第123-125页
   ·工作气压对InSb薄膜表面形貌的影响第125页
   ·工作气压对InSb薄膜光学带隙的影响第125-127页
   ·InSb薄膜的光学常数第127-128页
   ·工作气压对a-InSb薄膜电学特性的影响第128-129页
   ·a-InSb薄膜的光敏特性第129-130页
   ·本章小结第130-131页
总结第131-133页
致谢第133-135页
参考文献第135-143页
攻读博士学位期间发表的论文和专利第143-144页

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