| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| ·半导体集成电路的发展 | 第9-10页 |
| ·铜互连技术的发展和面临的挑战 | 第10-15页 |
| ·铜互连技术的发展 | 第10-13页 |
| ·铜互连技术面临的挑战 | 第13-15页 |
| ·扩散阻挡层 | 第15-19页 |
| ·扩散阻挡层的性能要求 | 第15-16页 |
| ·扩散阻挡层的分类 | 第16-17页 |
| ·介质扩散阻挡层 | 第17-19页 |
| ·SiCN薄膜材料 | 第19-22页 |
| ·SiGN薄膜材料的特性及结构 | 第19-20页 |
| ·SiCN薄膜材料的研究现状 | 第20-22页 |
| ·本论文的研究意义、目的及内容 | 第22-25页 |
| ·本论文的研究意义和目的 | 第22页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第22-25页 |
| 第二章 扩散阻挡层薄膜的制备方法及表征 | 第25-42页 |
| ·阻挡层薄膜的沉积方法 | 第25-28页 |
| ·SiCN薄膜常用制备方法简介 | 第25-26页 |
| ·磁控反应溅射方法原理 | 第26-27页 |
| ·TXZ-500I磁控溅射镀膜机简介 | 第27-28页 |
| ·阻挡层薄膜样品的制备 | 第28-34页 |
| ·基片预处理 | 第28-30页 |
| ·薄膜样品的制备流程 | 第30-31页 |
| ·薄膜样品的实验方案 | 第31-33页 |
| ·快速热退火 | 第33-34页 |
| ·阻挡层薄膜特性的测量及表征 | 第34-41页 |
| ·厚度的测量 | 第34-35页 |
| ·方块电阻的测量 | 第35-36页 |
| ·成分的表征 | 第36-37页 |
| ·组织结构的表征 | 第37-38页 |
| ·表面形貌的表征 | 第38-40页 |
| ·C-V特性的表征 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 SiCN阻挡层薄膜的制备与结构特性研究 | 第42-54页 |
| ·制备工艺对SiCN薄膜沉积速率的影响 | 第42-44页 |
| ·SiC靶功率对SiCN薄膜生长速率的影响 | 第42-43页 |
| ·N_2/Ar流量比对SiCN薄膜生长速率的影响 | 第43-44页 |
| ·制备工艺对SiCN薄膜表面形貌的影响 | 第44-48页 |
| ·SiC靶功率对SiCN薄膜表面形貌的影响 | 第45-46页 |
| ·N_2/Ar流量比对SiCN薄膜表面形貌的影响 | 第46-47页 |
| ·快速热退火对SiCN薄膜表面形貌的影响 | 第47-48页 |
| ·SiCN薄膜的成分分析 | 第48-51页 |
| ·EDS分析 | 第48-50页 |
| ·FTIR光谱分析 | 第50-51页 |
| ·SiCN薄膜的微观结构分析 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 SiCN薄膜的阻挡性能研究 | 第54-69页 |
| ·SiCN薄膜电学特性分析 | 第54-57页 |
| ·SiCN/Si结构热稳定性分析 | 第57-58页 |
| ·Cu/SiCN/Si体系在高温退火下的热稳定性及失效分析 | 第58-67页 |
| ·Cu薄膜表面形貌随退火温度的变化 | 第58-60页 |
| ·Cu/SiCN/Si结构方块电阻随退火温度的变化 | 第60-62页 |
| ·Cu/SiCN/Si结构的晶体结构随退火温度的变化 | 第62-63页 |
| ·Cu/SiCN/Si结构的化学键随退火温度的变化 | 第63-65页 |
| ·Cu/SiCN/Si体系的失效机理讨论 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第83页 |
