| 中文摘要 | 第1-14页 |
| ABSTRACT | 第14-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-47页 |
| 第一节 超分子化学与聚合物的自组装 | 第17-41页 |
| 1 超分子化学 | 第17-32页 |
| ·定义 | 第17-19页 |
| ·超分子相互作用的本质 | 第19-30页 |
| ·离子-离子相互作用 | 第19-20页 |
| ·离子-偶极相互作用 | 第20-21页 |
| ·偶极-偶极相互作用 | 第21页 |
| ·氢键相互作用 | 第21-23页 |
| ·阳离子-π相互作用 | 第23-24页 |
| ·π-π堆积 | 第24-25页 |
| ·范德华相互作用 | 第25-26页 |
| ·固体中的密堆积 | 第26页 |
| ·疏水效应 | 第26-30页 |
| ·超分子主体的设计 | 第30-32页 |
| 2 聚合物的自组装 | 第32-41页 |
| ·自组装的定义 | 第32-34页 |
| ·聚合物的自组装 | 第34-38页 |
| ·聚硅烷的自组装 | 第38-41页 |
| 第二节 本论文的研究内容和创新之处 | 第41-43页 |
| 1 本论文的研究内容 | 第41-42页 |
| 2 本论文的特色和创新之处 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 第二章 理论化学方法 | 第47-70页 |
| 第一节 化学研究中的理论方法 | 第47-51页 |
| 第二节 密度泛函理论的发展及其在化学研究上的应用 | 第51-65页 |
| 1 Kohn-Sham方程 | 第52-56页 |
| ·局域密度近似(LDA)形式 | 第53-54页 |
| ·广义梯度近似方法(GGAs) | 第54-55页 |
| ·杂化密度泛函方法(H-GGAs) | 第55-56页 |
| 2 常用泛函方法在化学研究中的性能 | 第56-64页 |
| ·几何结构 | 第56-57页 |
| ·动力学 势垒高度 | 第57-58页 |
| ·热化学 | 第58-61页 |
| ·原子化能 | 第58-59页 |
| ·键能 | 第59页 |
| ·离子势 | 第59-60页 |
| ·电子亲和势 | 第60页 |
| ·生成热 | 第60-61页 |
| ·其它反应能 | 第61页 |
| ·非键相互作用 | 第61-64页 |
| ·氢键 | 第61-62页 |
| ·电荷转移 | 第62页 |
| ·偶极相互作用 | 第62-63页 |
| ·弱相互作用 | 第63页 |
| ·π-π相互作用 | 第63-64页 |
| 3 本论文选用的方法 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 第三章 几种噻吩基硅烷的合成和理论研究 | 第70-95页 |
| 第一节 几种噻吩基硅烷的的合成和表征 | 第70-78页 |
| 1 实验设备 | 第70-71页 |
| 2 实验原料 | 第71页 |
| 3 合成和结构表征 | 第71-78页 |
| ·二(3-氰基-2-噻吩基)二甲基硅烷 | 第71-74页 |
| ·二-(2-噻吩基)二甲基硅烷 | 第74-76页 |
| ·二(3-噻吩基)二甲基硅烷 | 第76-78页 |
| 第二节 噻吩基硅烷电子结构的理论研究 | 第78-92页 |
| 1 计算方法 | 第79页 |
| 2 结果和讨论 | 第79-91页 |
| ·几何结构 | 第79-84页 |
| ·分子的偶极矩、自然电荷和亲电势 | 第84-85页 |
| ·振动光谱的模拟和分析 | 第85-88页 |
| ·激发态光谱的模拟 | 第88-91页 |
| 3 结论 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第四章 噻吩、噻吩基硅烷与铁、钴、镍配位作用的理论研究 | 第95-137页 |
| 第一节 铁、钴、镍噻吩络合物电子结构的理论研究 | 第96-111页 |
| 1 计算方法 | 第96-97页 |
| 2 结果和讨论 | 第97-110页 |
| ·几何结构 | 第97-99页 |
| ·成键性质和配合物的稳定性 | 第99-103页 |
| ·振动频率的分析和红外光谱的模拟 | 第103-107页 |
| ·前线分子轨道的性质和电子激发态光谱 | 第107-110页 |
| 3 结论 | 第110-111页 |
| 第二节 铁、镍与二噻吩基二甲基硅烷络合物的电子结构的密度泛函研究 | 第111-124页 |
| 1 计算方法 | 第111-112页 |
| 2 结果和讨论 | 第112-124页 |
| ·几何结构 | 第112-114页 |
| ·成键性质和配合物的稳定性 | 第114-119页 |
| ·振动频率的分析和红外光谱的模拟 | 第119-120页 |
| ·前线分子轨道的性质和电子激发态光谱 | 第120-124页 |
| 3 结论 | 第124页 |
| 第三节 镍盐阴离子电负性对噻吩基硅烷-镍(Ⅱ)配合物的电子结构的影响 | 第124-132页 |
| 1 计算方法 | 第126页 |
| 2 结果和讨论 | 第126-132页 |
| ·卤素电负性对配合物几何结构的影响 | 第126-128页 |
| ·卤素电负性对配合物振动光谱的影响 | 第128-129页 |
| ·NBO计算 | 第129-132页 |
| 3 结论 | 第132页 |
| 参考文献 | 第132-137页 |
| 第五章 聚硅杂烷基硅烷的电子结构调制的理论研究 | 第137-152页 |
| 1 计算模型和方法 | 第138-139页 |
| 2 结果和讨论 | 第139-149页 |
| ·构型的影响 | 第139-143页 |
| ·硅杂烷基侧链长度的影响 | 第143-146页 |
| ·取代基效应 | 第146-149页 |
| 3 结论 | 第149页 |
| 参考文献 | 第149-152页 |
| 第六章 结论与展望 | 第152-155页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第155-157页 |
| 致谢 | 第157-158页 |
| 附录 | 第158-185页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第185页 |
