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锗硅核壳型纳米线器件量子输运性质的实验研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-9页
目录第9-12页
第1章 绪论第12-26页
   ·纳米线第12-13页
   ·锗硅核壳型纳米线第13-14页
   ·电控量子点第14-21页
     ·电控量子点的基本结构第14-15页
     ·库仑阻塞第15-18页
     ·Kondo效应第18-19页
     ·高阶共隧穿第19-21页
   ·超导体的基本电学性质第21-23页
     ·BCS超导电性理论第21-22页
     ·约瑟夫森效应和Andreev反射第22-23页
   ·本章小结第23-26页
第2章 样品加工与制备第26-50页
   ·样品加工设备和工艺简介以及使用技巧第26-40页
     ·原子力显微镜第26-27页
     ·扫描电子显微镜第27-28页
     ·光学曝光刻蚀第28-29页
     ·电子束曝光刻蚀第29-35页
     ·电子束蒸发镀膜第35-37页
     ·原子层沉积第37-39页
     ·其他第39-40页
   ·锗硅核壳型纳米线器件加工步骤第40-48页
     ·锗硅核壳型纳米线的生长第40-41页
     ·迁移纳米线第41-43页
     ·加工接触电极第43-45页
     ·加工顶栅极第45-48页
   ·本章小结第48-50页
第3章 弱反局域化和自旋轨道耦合第50-66页
   ·实验装置和样品基本性质第50-53页
   ·负磁导和弱反局域化第53-54页
   ·一维系统中的弱反局域化第54-58页
     ·一维系统中的弱反局域化理论和数学表示第54-57页
     ·实验数据拟合第57-58页
   ·拟合得到的参数第58-62页
     ·非弹性散射引起的相位变化第58-60页
     ·自旋轨道引起的相位变化第60页
     ·背景电导的讨论第60-62页
   ·自旋轨道耦合第62-63页
     ·自旋轨道耦合的机制第62页
     ·锗硅纳米线系统中的自旋轨道耦合强度第62-63页
   ·本章小结第63-66页
第4章 量子点中超导能隙的打开第66-82页
   ·量子点和超导电极相互作用时几个能量尺度的比较第66-70页
   ·实验装置和样品基本性质第70-73页
     ·样品结构第70页
     ·实验环境和测量电路第70-72页
     ·样品基本输运性质第72-73页
   ·超导电极对量子点电输运性质的影响第73-81页
     ·量子点中库仑阻塞区超导能隙的打开第75-76页
     ·超导电极引起的量子点中库仑阻塞能隙的磁场响应第76-79页
     ·超导电极引起的量子点中库仑阻塞能隙的温度响应第79-81页
   ·本章小结第81-82页
第5章 Andreev反射对量子点中单空穴隧穿的增强第82-96页
   ·基本实验现象第82-87页
     ·样品输运性质第83-84页
     ·零磁场磁导尖峰第84-85页
     ·二维菱形图中能隙的变化第85-87页
   ·实验现象的解释第87-90页
     ·排除Kondo效应和弱反局域化的影响第87页
     ·Andreev反射引起的单空穴相干传输第87-90页
   ·更多的实验证据第90-93页
     ·磁导峰随源漏偏压的变化第90-91页
     ·磁导峰随背电压的变化第91-92页
     ·磁导峰随温度的演化第92-93页
   ·本章小结第93-96页
第6章 Andreev反射引起的量子点中的共隧穿第96-108页
   ·基本实验现象第96-99页
     ·样品输运性质第97页
     ·二维菱形图中的共隧穿谱和负微分电导第97-99页
   ·实验现象的解释第99-103页
     ·Andreev反射引起量子点中的共隧穿第99-102页
     ·超导电极中的准粒子态密度引起负微分电导第102-103页
   ·更多的实验证据第103-106页
     ·共隧穿与源漏电极超导态的联系第103-104页
     ·共隧穿随磁场的变化第104-105页
     ·共隧穿随温度的演化第105-106页
   ·本章小结第106-108页
第7章 总结和展望第108-114页
   ·本论文总结第108-110页
   ·本论文工作中有待改进之处第110-111页
   ·对未来工作的展望第111-114页
参考文献第114-124页
致谢第124-128页
攻读博士学位期间发表的学术论文第128-130页

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