摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
目录 | 第9-12页 |
第1章 绪论 | 第12-26页 |
·纳米线 | 第12-13页 |
·锗硅核壳型纳米线 | 第13-14页 |
·电控量子点 | 第14-21页 |
·电控量子点的基本结构 | 第14-15页 |
·库仑阻塞 | 第15-18页 |
·Kondo效应 | 第18-19页 |
·高阶共隧穿 | 第19-21页 |
·超导体的基本电学性质 | 第21-23页 |
·BCS超导电性理论 | 第21-22页 |
·约瑟夫森效应和Andreev反射 | 第22-23页 |
·本章小结 | 第23-26页 |
第2章 样品加工与制备 | 第26-50页 |
·样品加工设备和工艺简介以及使用技巧 | 第26-40页 |
·原子力显微镜 | 第26-27页 |
·扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
·光学曝光刻蚀 | 第28-29页 |
·电子束曝光刻蚀 | 第29-35页 |
·电子束蒸发镀膜 | 第35-37页 |
·原子层沉积 | 第37-39页 |
·其他 | 第39-40页 |
·锗硅核壳型纳米线器件加工步骤 | 第40-48页 |
·锗硅核壳型纳米线的生长 | 第40-41页 |
·迁移纳米线 | 第41-43页 |
·加工接触电极 | 第43-45页 |
·加工顶栅极 | 第45-48页 |
·本章小结 | 第48-50页 |
第3章 弱反局域化和自旋轨道耦合 | 第50-66页 |
·实验装置和样品基本性质 | 第50-53页 |
·负磁导和弱反局域化 | 第53-54页 |
·一维系统中的弱反局域化 | 第54-58页 |
·一维系统中的弱反局域化理论和数学表示 | 第54-57页 |
·实验数据拟合 | 第57-58页 |
·拟合得到的参数 | 第58-62页 |
·非弹性散射引起的相位变化 | 第58-60页 |
·自旋轨道引起的相位变化 | 第60页 |
·背景电导的讨论 | 第60-62页 |
·自旋轨道耦合 | 第62-63页 |
·自旋轨道耦合的机制 | 第62页 |
·锗硅纳米线系统中的自旋轨道耦合强度 | 第62-63页 |
·本章小结 | 第63-66页 |
第4章 量子点中超导能隙的打开 | 第66-82页 |
·量子点和超导电极相互作用时几个能量尺度的比较 | 第66-70页 |
·实验装置和样品基本性质 | 第70-73页 |
·样品结构 | 第70页 |
·实验环境和测量电路 | 第70-72页 |
·样品基本输运性质 | 第72-73页 |
·超导电极对量子点电输运性质的影响 | 第73-81页 |
·量子点中库仑阻塞区超导能隙的打开 | 第75-76页 |
·超导电极引起的量子点中库仑阻塞能隙的磁场响应 | 第76-79页 |
·超导电极引起的量子点中库仑阻塞能隙的温度响应 | 第79-81页 |
·本章小结 | 第81-82页 |
第5章 Andreev反射对量子点中单空穴隧穿的增强 | 第82-96页 |
·基本实验现象 | 第82-87页 |
·样品输运性质 | 第83-84页 |
·零磁场磁导尖峰 | 第84-85页 |
·二维菱形图中能隙的变化 | 第85-87页 |
·实验现象的解释 | 第87-90页 |
·排除Kondo效应和弱反局域化的影响 | 第87页 |
·Andreev反射引起的单空穴相干传输 | 第87-90页 |
·更多的实验证据 | 第90-93页 |
·磁导峰随源漏偏压的变化 | 第90-91页 |
·磁导峰随背电压的变化 | 第91-92页 |
·磁导峰随温度的演化 | 第92-93页 |
·本章小结 | 第93-96页 |
第6章 Andreev反射引起的量子点中的共隧穿 | 第96-108页 |
·基本实验现象 | 第96-99页 |
·样品输运性质 | 第97页 |
·二维菱形图中的共隧穿谱和负微分电导 | 第97-99页 |
·实验现象的解释 | 第99-103页 |
·Andreev反射引起量子点中的共隧穿 | 第99-102页 |
·超导电极中的准粒子态密度引起负微分电导 | 第102-103页 |
·更多的实验证据 | 第103-106页 |
·共隧穿与源漏电极超导态的联系 | 第103-104页 |
·共隧穿随磁场的变化 | 第104-105页 |
·共隧穿随温度的演化 | 第105-106页 |
·本章小结 | 第106-108页 |
第7章 总结和展望 | 第108-114页 |
·本论文总结 | 第108-110页 |
·本论文工作中有待改进之处 | 第110-111页 |
·对未来工作的展望 | 第111-114页 |
参考文献 | 第114-124页 |
致谢 | 第124-128页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第128-130页 |