| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 引言 | 第12-36页 |
| ·太阳盲紫外光辐射 | 第12-13页 |
| ·半导体紫外光电探测器 | 第13-23页 |
| ·MgZnO合金薄膜材料及其紫外探测器的研究进展 | 第23-33页 |
| ·MgZnO太阳盲紫外光电探测器存在的主要问题和发展趋势 | 第33-34页 |
| ·论文的选题依据和研究内容 | 第34-36页 |
| 第2章 MgZnO合金材料及紫外探测器的制备和表征手段 | 第36-54页 |
| ·MgZnO薄膜材料的制备方法 | 第36-41页 |
| ·紫外探测器的制备工艺 | 第41-43页 |
| ·薄膜性质的分析和表征手段 | 第43-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第3章 六角结构Mg_(0.53)Zn_(0.47)O薄膜及其紫外探测器的制备与特性研究 | 第54-62页 |
| ·MgZnO合金薄膜的制备与材料性质表征 | 第54-58页 |
| ·不同衬底MgZnO合金薄膜带隙和光响应特性不同的研究 | 第58-60页 |
| 本章小结 | 第60-62页 |
| 第4章 磁控溅射方法立方结构MgZnO合金薄膜的生长与特性研究 | 第62-78页 |
| ·石英衬底上立方结构MgZnO薄膜生长及特性研究 | 第63-68页 |
| ·不同面蓝宝石衬底上立方结构MgZnO合金薄膜制备及特性研究 | 第68-70页 |
| ·退火温度对立方MgZnO薄膜结晶和光学性质的影响 | 第70-75页 |
| 本章小结 | 第75-78页 |
| 第5章 高质量MgZnO薄膜生长及太阳盲紫外光电探测器的制备与特性研究 | 第78-94页 |
| ·平整表面立方结构MgZnO单晶薄膜生长及紫外探测器特性研究 | 第79-86页 |
| ·高质量立方单晶MgZnO薄膜生长及高响应度光导型MgZnO太阳盲紫外探测器的制备与特性表征 | 第86-92页 |
| 本章小结 | 第92-94页 |
| 第6章 Au/Mg_(0.27)Zn_(0.73)O/In肖特基结光伏型紫外探测器的制备与特性研究 | 第94-106页 |
| ·真空-空气环境两步退火处理对Au/Mg_(0.27)Zn_(0.73)O接触特性的影响 | 第95-99页 |
| ·两次退火方法改变金属Au电极与MgZnO薄膜接触特性的原因分析 | 第99-103页 |
| ·两步退火处理对Au/MgZnO/In紫外探测器光谱响应特性的影响 | 第103-105页 |
| 本章小结 | 第105-106页 |
| 第7章 结论与展望 | 第106-110页 |
| ·全文结论 | 第106-108页 |
| ·研究展望 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-118页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第118-120页 |
| 指导教师及作者简介 | 第120-122页 |
| 致谢 | 第122-124页 |
