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轨道离域对分子稳定性影响及一氧化碳在钴表面活化的轨道相互作用解析

中文摘要第9-11页
ABSTRACT第11-12页
第一部分 [NHC→B]_n 和[NHB-C]_n(n=2-6)占据轨道的离域度对分子稳定性影响的理论研究第13-45页
    第一章 综述第14-18页
        1.1 硼硼三键化合物的研究现状及研究意义第14-15页
        1.2 课题设计思路第15页
        1.3 论文主要内容第15-18页
    第二章 理论基础和计算方法第18-24页
        2.1 引言第18页
        2.2 量子化学的基本方程与具体方法第18-21页
            2.2.1 薛定谔方程及三个近似第18-19页
            2.2.2 从头算方法第19-20页
            2.2.3 密度泛函理论(DFT)第20-21页
        2.3 与本章有关的主要程序和方法第21-24页
            2.3.1 Gaussian程序第21-22页
            2.3.2 AdNDP程序第22-24页
    第三章 [NHC-B]_n 和[NHB-C]_n (n=2-6)占据轨道的离域度对分子稳定性影响的理论研究第24-38页
        3.1 引言第24页
        3.2 计算方法第24-25页
        3.3 计算结果与讨论第25-36页
            3.3.1 热力学稳定性第25-26页
            3.3.2 芳香性第26-27页
            3.3.3 电子结构分析第27-36页
        3.4 本章小结第36-38页
    参考文献第38-45页
第二部分 一氧化碳在钴表面活化的轨道相互作用解析第45-68页
    第一章 综述第46-50页
        1.1 费托合成的研究现状及研究意义第46-47页
        1.2 课题设计思路第47-48页
        1.3 论文主要内容第48-50页
    第二章 理论基础和计算软件第50-52页
        2.1 本章用到的量子化学的理论基础第50页
            2.1.1 基组第50页
            2.1.2 赝势(Pseudo potential)第50页
        2.2 常用术语和相关公式第50-51页
            2.2.1 吸附能Eads(adsorption energy)第50页
            2.2.2 活化能Ea(activation energy barrier)第50页
            2.2.3 CI-NEB(Climbing Image Nudged Elastic Band)第50-51页
            2.2.4 态密度(density of state,DOS)第51页
        2.3 本章用到的主要程序和方法第51-52页
            2.3.1 Materials Studio软件简介第51页
            2.3.2 VASP程序简介第51-52页
    第三章 一氧化碳在钴表面活化的轨道相互作用解析第52-62页
        3.1 引言第52-53页
        3.2 计算方法第53-54页
        3.3 计算模型第54-55页
        3.4 计算结果和讨论第55-60页
            3.4.1 热力学分析第55-57页
            3.4.2 电子结构分析第57-60页
        3.5 本章小结第60-62页
    参考文献第62-68页
主要结论与展望第68-70页
    主要结论第68-69页
    展望第69-70页
攻读硕士学位期间发表论文第70-71页
致谢第71-72页
个人简况及联系方式第72-75页

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