功率器件的纳米银烧结工艺技术研究
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-12页 |
1.1 前言 | 第8页 |
1.2 低温烧结互连技术 | 第8-10页 |
1.2.1 低温烧结互连技术发展现状 | 第8-10页 |
1.2.2 纳米银焊膏烧结技术发展现状 | 第10页 |
1.3 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
1.4 本论文的主要研究内容 | 第11-12页 |
第2章 试验材料和设备 | 第12-28页 |
2.1 试验材料 | 第12-25页 |
2.1.1 基板的选择 | 第12-14页 |
2.1.2 功率芯片的选择 | 第14页 |
2.1.3 网板的选择 | 第14-15页 |
2.1.4 焊膏的选择 | 第15-22页 |
2.1.5 主要试验设备 | 第22-25页 |
2.2 本章小结 | 第25-28页 |
第3章 纳米银烧结工艺技术研究 | 第28-48页 |
3.1 纳米银烧结试验准备 | 第28-31页 |
3.1.1 焊膏的搅拌工艺 | 第28-29页 |
3.1.2 焊膏的涂覆工艺 | 第29页 |
3.1.3 芯片的贴装工艺 | 第29-31页 |
3.2 纳米银焊膏烧结工艺流程 | 第31页 |
3.3 烧结工艺参数对烧结质量影响的单因素分析 | 第31-40页 |
3.3.1 升温速率对烧结质量的影响分析 | 第31-33页 |
3.3.2 峰值温度对烧结质量的影响分析 | 第33-35页 |
3.3.3 保温时间对烧结质量的影响分析 | 第35-37页 |
3.3.4 涂覆厚度对烧结质量的影响分析 | 第37-38页 |
3.3.5 涂覆面积对烧结质量的影响分析 | 第38-40页 |
3.4 烧结工艺参数对烧结质量影响的多因素分析 | 第40-46页 |
3.5 本章小结 | 第46-48页 |
第4章 纳米银焊膏烧结工艺可靠性探索 | 第48-58页 |
4.1 环境试验 | 第48-50页 |
4.1.1 温度循环试验 | 第48页 |
4.1.2 恒定加速度试验 | 第48-50页 |
4.2 金相分析 | 第50-58页 |
4.2.1 金相试样制作 | 第50-52页 |
4.2.2 金相分析结果 | 第52-58页 |
结论 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-64页 |
致谢 | 第64页 |