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功率器件的纳米银烧结工艺技术研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第8-12页
    1.1 前言第8页
    1.2 低温烧结互连技术第8-10页
        1.2.1 低温烧结互连技术发展现状第8-10页
        1.2.2 纳米银焊膏烧结技术发展现状第10页
    1.3 课题背景及研究的目的和意义第10-11页
    1.4 本论文的主要研究内容第11-12页
第2章 试验材料和设备第12-28页
    2.1 试验材料第12-25页
        2.1.1 基板的选择第12-14页
        2.1.2 功率芯片的选择第14页
        2.1.3 网板的选择第14-15页
        2.1.4 焊膏的选择第15-22页
        2.1.5 主要试验设备第22-25页
    2.2 本章小结第25-28页
第3章 纳米银烧结工艺技术研究第28-48页
    3.1 纳米银烧结试验准备第28-31页
        3.1.1 焊膏的搅拌工艺第28-29页
        3.1.2 焊膏的涂覆工艺第29页
        3.1.3 芯片的贴装工艺第29-31页
    3.2 纳米银焊膏烧结工艺流程第31页
    3.3 烧结工艺参数对烧结质量影响的单因素分析第31-40页
        3.3.1 升温速率对烧结质量的影响分析第31-33页
        3.3.2 峰值温度对烧结质量的影响分析第33-35页
        3.3.3 保温时间对烧结质量的影响分析第35-37页
        3.3.4 涂覆厚度对烧结质量的影响分析第37-38页
        3.3.5 涂覆面积对烧结质量的影响分析第38-40页
    3.4 烧结工艺参数对烧结质量影响的多因素分析第40-46页
    3.5 本章小结第46-48页
第4章 纳米银焊膏烧结工艺可靠性探索第48-58页
    4.1 环境试验第48-50页
        4.1.1 温度循环试验第48页
        4.1.2 恒定加速度试验第48-50页
    4.2 金相分析第50-58页
        4.2.1 金相试样制作第50-52页
        4.2.2 金相分析结果第52-58页
结论第58-60页
参考文献第60-64页
致谢第64页

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