| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-31页 |
| 1.1 引言 | 第10-13页 |
| 1.2 太阳能电池基础知识 | 第13-19页 |
| 1.3 新型薄膜电池太阳能电池 | 第19-26页 |
| 1.4 硒化锑太阳能电池 | 第26-30页 |
| 1.5 本论文主要研究内容 | 第30-31页 |
| 2 薄膜光伏器件制备与表征 | 第31-44页 |
| 2.1 太阳能电池材料表征 | 第31-35页 |
| 2.2 太阳能电池器件制备 | 第35-38页 |
| 2.3 器件测试与表征 | 第38-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 3 硒化锑太阳能电池应用潜力研究 | 第44-55页 |
| 3.1 肼溶液法制备硒化锑薄膜 | 第45-47页 |
| 3.2 Sb_2Se_3基本光伏性质 | 第47-50页 |
| 3.3 器件性能与稳定性 | 第50-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 4 硒化锑的一维取向与惰性晶界 | 第55-69页 |
| 4.1 理论计算证明硒化锑具有惰性晶界特点 | 第55-57页 |
| 4.2 快速热蒸发法制备CdS/Sb_2Se_3器件 | 第57-60页 |
| 4.3 硒化锑薄膜取向与器件性能的关系 | 第60-63页 |
| 4.4 硒化锑器件中晶界惰性的实验验证 | 第63-65页 |
| 4.5 CdS/Sb_2Se_3器件效率及稳定性 | 第65-67页 |
| 4.6 本章小结 | 第67-69页 |
| 5 CdS/Sb_2Se_3器件界面扩散研究 | 第69-80页 |
| 5.1 CdS/Sb_2Se_3器件的物理表征 | 第70-72页 |
| 5.2 元素界面扩散表征 | 第72-73页 |
| 5.3 CdS/Sb_2Se_3器件中的浅埋同质结 | 第73-76页 |
| 5.4 浅埋同质结形成机理 | 第76-79页 |
| 5.5 本章小结 | 第79-80页 |
| 6 诱导生长[001]取向的Sb_2Se_3薄膜 | 第80-91页 |
| 6.1 异质外延生长简介 | 第80-82页 |
| 6.2 CdS与Sb_2Se_3各方向上的失配率 | 第82-85页 |
| 6.3 CdS上沉积的Sb_2Se_3薄膜取向分析 | 第85-87页 |
| 6.4 CdS衬底诱导生长[001]取向Sb_2Se_3薄膜 | 第87-89页 |
| 6.5 本章小结 | 第89-91页 |
| 7 总结与展望 | 第91-95页 |
| 7.1 研究内容总结 | 第91-92页 |
| 7.2 主要创新点 | 第92-93页 |
| 7.3 对进一步研究的展望 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-109页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的论文 | 第109-111页 |
| 附录2 攻读博士学位期间所获奖励 | 第111页 |
