| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第8-19页 |
| 1.1 离子-表面散射研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 负离子在固体表面散射研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 半导体Si的电子结构和性质 | 第12-17页 |
| 1.3.1 能带和能隙 | 第12-13页 |
| 1.3.2 悬挂键表面态 | 第13-15页 |
| 1.3.3 载流子浓度和费米能级 | 第15-17页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第17-19页 |
| 第二章 散射问题 | 第19-33页 |
| 2.1 两体碰撞经典散射模型 | 第20-22页 |
| 2.2 原子间相互作用势 | 第22-25页 |
| 2.3 实验室坐标系和质心坐标系的转换 | 第25-26页 |
| 2.4 最接近距离和散射与反冲截面计算 | 第26-31页 |
| 2.4.1 最接近距离计算 | 第27-29页 |
| 2.4.2 散射与反冲截面计算 | 第29-31页 |
| 2.5 遮蔽和阻挡效应 | 第31-33页 |
| 第三章 离子-表面碰撞动力学 | 第33-48页 |
| 3.1 金属表面自由电子气（Jellium模型） | 第33-35页 |
| 3.2 共振电荷交换理论 | 第35-45页 |
| 3.2.1 能级移动及展宽 | 第36-40页 |
| 3.2.2 垂直速度和平行速度分量 | 第40页 |
| 3.2.3 表面功函数 | 第40-41页 |
| 3.2.4 共振电荷转移（RCT） | 第41-45页 |
| 3.2.5 电荷态记忆消失效应 | 第45页 |
| 3.3 俄歇电子转移 | 第45-46页 |
| 3.4 电子提升过程（碰撞诱导电子转移） | 第46-48页 |
| 第四章 实验技术 | 第48-63页 |
| 4.1 概述 | 第48-49页 |
| 4.2 铯溅射负离子源 | 第49-50页 |
| 4.3 超高真空（UHV） | 第50-52页 |
| 4.4 表面原位清洁 | 第52-54页 |
| 4.5 探测器及数据获取系统 | 第54-63页 |
| 4.5.1 一维位置灵敏微通道板探测器（PSMCP） | 第54-59页 |
| 4.5.2 飞行时间散射反冲谱（TOF-SARS） | 第59-63页 |
| 第五章 F-在H_2O吸附Si(100)表面电子转移 | 第63-76页 |
| 5.1 H_2O在Si(100)表面的解离吸附 | 第63-67页 |
| 5.2 H_2O吸附对Si(100)表面电子结构的影响 | 第67-68页 |
| 5.3 F-在H_2O/Si(100)表面散射结果及讨论 | 第68-76页 |
| 5.3.1 实验结果 | 第68-71页 |
| 5.3.2 负离子形成 | 第71-73页 |
| 5.3.3 电荷转移模型 | 第73-76页 |
| 第六章 掺杂效应对电荷转移的影响 | 第76-85页 |
| 6.1 实验结果 | 第76-78页 |
| 6.2 掺杂对电荷转移的影响 | 第78-80页 |
| 6.3 正离子形成 | 第80-81页 |
| 6.4 正离子调制的电荷转移模型 | 第81-85页 |
| 第七章 总结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-92页 |
| 在校期间科研成果 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93页 |
