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近红外激光辐照致硅热应力损伤机理研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
1 绪论第13-28页
    1.1 研究背景第13-14页
    1.2 研究意义第14-16页
    1.3 激光辐照硅的研究现状第16-27页
        1.3.1 加热阶段第16-26页
        1.3.2 烧蚀阶段第26-27页
    1.4 本文主要研究工作第27-28页
2 激光辐照硅的基本理论和数值模型第28-41页
    2.1 硅对激光的吸收机制第28-30页
        2.1.1 本征吸收第29页
        2.1.2 自由载流子吸收第29-30页
        2.1.3 杂质吸收第30页
        2.1.4 非线性吸收第30页
    2.2 激光在硅片内的分布第30-32页
    2.3 熔融前的加热过程第32-36页
        2.3.1 格剖分第32-33页
        2.3.2 控制方程第33-34页
        2.3.3 边界条件第34页
        2.3.4 方程求解第34-35页
        2.3.5 材料属性随温度变化的处理方法第35-36页
        2.3.6 热应力场第36页
    2.4 熔融后的烧蚀过程第36-40页
        2.4.1 硅的固液相变第37-38页
        2.4.2 控制方程第38-40页
        2.4.3 热源第40页
    2.5 本章小结第40-41页
3 激光辐照致硅表面滑移第41-52页
    3.1 滑移面第41-45页
        3.1.1 拉伸实验中的滑移面第41-44页
        3.1.2 激光辐照下的滑移面第44-45页
    3.2 实验验证反常滑移第45-48页
        3.2.1 实验装置第46-47页
        3.2.2 滑移面的判断方法第47-48页
    3.3 结果和讨论第48-51页
        3.3.1 准连续激光辐照下硅的滑移第48-49页
        3.3.2 序列激光辐照下硅的滑移第49-50页
        3.3.3 讨论第50-51页
    3.4 本章小结第51-52页
4 激光辐照下滑移和熔融的竞争第52-66页
    4.1 硅的屈服强度第52-53页
    4.2 理论分析第53-54页
    4.3 应力和应变第54-62页
        4.3.1 各滑移系的剪切应力第56页
        4.3.2 各滑移系的应变第56-58页
        4.3.3 应力应变的分布第58-62页
    4.4 滑移和熔融的竞争第62-65页
    4.5 本章小结第65-66页
5 毫秒激光辐照下硅片的应力损伤过程第66-80页
    5.1 实时探测应力损伤过程第66-70页
        5.1.1 实验装置第66-67页
        5.1.2 实验结果第67-70页
    5.2 无烧蚀时硅的应力损伤过程第70-75页
        5.2.1 数值模型第70-71页
        5.2.2 模拟结果和讨论第71-74页
        5.2.3 裂纹分布第74-75页
    5.3 烧蚀情况下硅的应力损伤过程第75-78页
        5.3.1 数值模型第75页
        5.3.2 结果和讨论第75-78页
    5.4 本章小结第78-80页
6 序列脉冲激光辐照下硅片的温升和断裂第80-92页
    6.1 等离子体点燃阈值第80-82页
    6.2 序列脉冲激光参数对加热过程的影响第82-86页
        6.2.1 硅的发射率第82-83页
        6.2.2 实验和测温装置第83-84页
        6.2.3 结果与讨论第84-86页
    6.3 损伤形貌分析第86-87页
    6.4 序列脉冲激光参数对应力损伤的影响第87-91页
        6.4.1 断裂现象第87-89页
        6.4.2 断裂位置第89-91页
    6.5 本章总结第91-92页
7 总结与展望第92-94页
    7.1 总结第92页
    7.2 展望第92-94页
致谢第94-95页
参考文献第95-108页
附录第108-109页

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