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量子限制杂质能级间跃迁及其在太赫兹发光器的应用研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-10页
目录第10-12页
Contents第12-14页
第一章 绪论第14-34页
   ·太赫兹技术第14-19页
     ·THz波的主要特征第14-15页
     ·THz波的应用第15-16页
     ·THz辐射源的研究现状第16-19页
   ·低维半导体太赫兹源第19-23页
     ·量子级联激光器第20-22页
     ·量子点激光器第22-23页
   ·量子限制杂质态的研究现状第23-29页
     ·量子限制杂质态的理论研究第24-27页
     ·量子限制杂质态的实验研究第27-29页
   ·本论文研究内容第29-30页
 参考文献第30-34页
第二章 δ-掺杂Be受主的GaAs/AlAs多量子阱系统的光学性质第34-58页
   ·分子束外延技术第34-39页
     ·MBE生长过程与原理第35-36页
     ·MBE生长技术的特点第36-37页
     ·MBE设备第37-39页
   ·样品制备第39-41页
   ·量子限制受主的光致发光研究第41-49页
     ·光致发光实验第41-43页
     ·光致发光谱及分析第43-48页
     ·量子限制受主的束缚能和跃迁能第48-49页
   ·量子限制受主的远红外吸收研究第49-55页
     ·Fourier变换红外光谱仪第50-51页
     ·远红外吸收实验第51页
     ·远红外吸收谱及分析第51-55页
   ·小结第55页
 参考文献第55-58页
第三章 量子限制受主能级结构的理论计算第58-84页
   ·有效质量近似和包络函数理论第58-62页
     ·有效质量第58-60页
     ·包络函数模型第60-62页
   ·δ-掺杂Be受主的GaAs/AlAs量子阱中价带态的计算第62-74页
     ·未掺杂量子阱的价带势阱模型第62-64页
     ·δ-掺杂量子阱的势阱模型第64-67页
     ·δ-掺杂Be受主的量子阱中价带态的计算第67-69页
     ·计算结果及分析第69-73页
     ·小结第73-74页
   ·限制在GaAs/AlAs量子阱中央Be受主态的计算第74-82页
     ·变分法第74-75页
     ·限制受主束缚能的计算第75-78页
     ·限制受主能态的计算第78-81页
     ·小结第81-82页
 参考文献第82-84页
第四章 GaAs/AlAs多量子阱中量子限制受主内动力学特性第84-95页
   ·自由电子激光时间分辨泵浦-探测实验第84-87页
     ·红外实验自由电子激光器第84-85页
     ·时间分辨平衡泵浦-探测实验第85-87页
   ·皮秒自由电子激光时间分辨泵浦-探测光谱第87-90页
     ·不同温度下的泵浦探测信号第87-90页
     ·不同激发光波长下的泵浦探测信号第90页
   ·量子阱中Be受主内2p→1s跃迁的弛豫散射机制第90-92页
   ·小结第92-93页
 参考文献第93-95页
第五章 量子限制受主THz原型发光器的制备与测量第95-105页
   ·THz原型发光器件的设计与制备第95-98页
     ·器件结构与制备第95-97页
     ·器件的能级结构第97-98页
   ·THz原型发光器的电流-电压特性第98-100页
   ·THz发光器的电致发光谱第100-104页
     ·电致发光实验第100-101页
     ·电致发光谱第101-104页
   ·小结第104页
 参考文献第104-105页
第六章 总结第105-109页
   ·主要研究内容和结论第105-107页
   ·论文的主要创新点第107页
   ·有待进一步开展的工作第107-109页
致谢第109-110页
攻读博士学位期间发表的论文目录和参加的项目情况第110-111页
 攻读博士学位期间发表的论文第110页
 攻读博士学位期间参与的项目第110-111页
附录:发表论文(英文)第111-119页
学位论文评阅及答辩情况表第119页

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