摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-10页 |
目录 | 第10-12页 |
Contents | 第12-14页 |
第一章 绪论 | 第14-34页 |
·太赫兹技术 | 第14-19页 |
·THz波的主要特征 | 第14-15页 |
·THz波的应用 | 第15-16页 |
·THz辐射源的研究现状 | 第16-19页 |
·低维半导体太赫兹源 | 第19-23页 |
·量子级联激光器 | 第20-22页 |
·量子点激光器 | 第22-23页 |
·量子限制杂质态的研究现状 | 第23-29页 |
·量子限制杂质态的理论研究 | 第24-27页 |
·量子限制杂质态的实验研究 | 第27-29页 |
·本论文研究内容 | 第29-30页 |
参考文献 | 第30-34页 |
第二章 δ-掺杂Be受主的GaAs/AlAs多量子阱系统的光学性质 | 第34-58页 |
·分子束外延技术 | 第34-39页 |
·MBE生长过程与原理 | 第35-36页 |
·MBE生长技术的特点 | 第36-37页 |
·MBE设备 | 第37-39页 |
·样品制备 | 第39-41页 |
·量子限制受主的光致发光研究 | 第41-49页 |
·光致发光实验 | 第41-43页 |
·光致发光谱及分析 | 第43-48页 |
·量子限制受主的束缚能和跃迁能 | 第48-49页 |
·量子限制受主的远红外吸收研究 | 第49-55页 |
·Fourier变换红外光谱仪 | 第50-51页 |
·远红外吸收实验 | 第51页 |
·远红外吸收谱及分析 | 第51-55页 |
·小结 | 第55页 |
参考文献 | 第55-58页 |
第三章 量子限制受主能级结构的理论计算 | 第58-84页 |
·有效质量近似和包络函数理论 | 第58-62页 |
·有效质量 | 第58-60页 |
·包络函数模型 | 第60-62页 |
·δ-掺杂Be受主的GaAs/AlAs量子阱中价带态的计算 | 第62-74页 |
·未掺杂量子阱的价带势阱模型 | 第62-64页 |
·δ-掺杂量子阱的势阱模型 | 第64-67页 |
·δ-掺杂Be受主的量子阱中价带态的计算 | 第67-69页 |
·计算结果及分析 | 第69-73页 |
·小结 | 第73-74页 |
·限制在GaAs/AlAs量子阱中央Be受主态的计算 | 第74-82页 |
·变分法 | 第74-75页 |
·限制受主束缚能的计算 | 第75-78页 |
·限制受主能态的计算 | 第78-81页 |
·小结 | 第81-82页 |
参考文献 | 第82-84页 |
第四章 GaAs/AlAs多量子阱中量子限制受主内动力学特性 | 第84-95页 |
·自由电子激光时间分辨泵浦-探测实验 | 第84-87页 |
·红外实验自由电子激光器 | 第84-85页 |
·时间分辨平衡泵浦-探测实验 | 第85-87页 |
·皮秒自由电子激光时间分辨泵浦-探测光谱 | 第87-90页 |
·不同温度下的泵浦探测信号 | 第87-90页 |
·不同激发光波长下的泵浦探测信号 | 第90页 |
·量子阱中Be受主内2p→1s跃迁的弛豫散射机制 | 第90-92页 |
·小结 | 第92-93页 |
参考文献 | 第93-95页 |
第五章 量子限制受主THz原型发光器的制备与测量 | 第95-105页 |
·THz原型发光器件的设计与制备 | 第95-98页 |
·器件结构与制备 | 第95-97页 |
·器件的能级结构 | 第97-98页 |
·THz原型发光器的电流-电压特性 | 第98-100页 |
·THz发光器的电致发光谱 | 第100-104页 |
·电致发光实验 | 第100-101页 |
·电致发光谱 | 第101-104页 |
·小结 | 第104页 |
参考文献 | 第104-105页 |
第六章 总结 | 第105-109页 |
·主要研究内容和结论 | 第105-107页 |
·论文的主要创新点 | 第107页 |
·有待进一步开展的工作 | 第107-109页 |
致谢 | 第109-110页 |
攻读博士学位期间发表的论文目录和参加的项目情况 | 第110-111页 |
攻读博士学位期间发表的论文 | 第110页 |
攻读博士学位期间参与的项目 | 第110-111页 |
附录:发表论文(英文) | 第111-119页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第119页 |